《数字电子技术教学资料》9半导体存储器.pptVIP

* RAM 与 ROM 的比较 相同处 ★ 都含有地址译码器和存储矩阵 ★ 寻址原理相同 相异处 ★ ROM 的存储矩阵是或阵列，是组合逻辑电路。 ROM 工作时只能读出不能写入。掉电后数据 不会丢失。 ★ RAM 的存储矩阵由触发器或动态存储单元构 成， 是时序逻辑电路。RAM 工作时能读出， 也能写入。读或写由读 / 写控制电路进行控制。 RAM 掉电后数据将丢失。 * RAM 分类 静态 RAM(即 Static RAM，简称 SRAM) 动态 RAM(即 Dynamic RAM，简称 DRAM) 　　DRAM 存储单元结构简单，集成度高，价格便宜，广泛地用于计算机中，但速度较慢，且需要刷新及读出放大器等外围电路。 　　DRAM 的存储单元是利用 MOS 管具有极高的输入电阻，在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信息的。由于栅极电容存在漏电，因此工作时需要周期性地对存储数据进行刷新。 　　SRAM 存储单元结构较复杂，集成度较低，但速度快。 * 二、集成 RAM 举例 　　 A0 ~ A9 为地址码输入端。 　　4 个 I/O 脚为双向数据线，用于读出或写入数据。 VDD 接 +5 V。 　　R/W 为读/写控制端。当 R/W = 1 时，从 I/O 线读出数据；当 R/W = 0 时，将从 I/O 线输入的数据写入RAM。 VDD Intel 2114 A7 A8 A9 I/O I/O I/O I/O R/W A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 CS GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 18 17 16 15 14 13 12 11 10 1 K ? 4 位 SRAM Intel 2114 引脚图 信号与 TTL 电平兼容。 　　CS 为片选控制端，低电平有效。CS = 1 时，读/写控制电路处于禁止状态，不能对芯片进行读/写操作。当 CS = 0 时，允许芯片读/写操作。 　　存储矩阵有 1 K 个字，每个字 4 位。1K = 1024 = 210，故需 10 根地址输入线。 * 三、RAM 的扩展 RAM的扩展动画演示 * [题9.3]试问存储容量为512*8的RAM有多少地址输入线、字线和位线 有9位二进制地址码输入线、64根字线、8根位线。 * * * * 半导体存储器由许多存储单元组成，每个存储单元可存储一位二进制数 。根据存取功能的不同，半导体存储器分为只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM)，两者的存储单元结构不同。ROM 属于大规模组合逻辑电路，RAM 属于大规模时序逻辑电路。 本 章 小 结 * ROM 用于存放固定不变的数据，存储内容不能随意改写。工作时，只能根据地址码读出数据。断电后其数据不会丢失。ROM有固定 ROM(又称掩膜 ROM) 和可编程 ROM之分。固定 ROM 由制造商在制造芯片时，用掩膜技术向芯片写入数据，而可编程 ROM 则由用户向芯片写入数据。可编程 ROM 又分为一次可编程的 PROM 和可重复改写、重复编程的 EPROM 和 E2PROM。EPROM 为电写入紫外擦除型，E2PROM 为电写入电擦除型，后者比前者快捷方便。可编程 ROM 都要用专用的编程器对芯片进行编程。 * RAM 由存储矩阵、译码器和读/写控制电路组成。它可以读出数据或改写存储的数据，其读、写数据的速度很快。因此，RAM 多用于需要经常更换数据的场合，最典型的应用就是计算机中的内存。但是， RAM 断电后数据将丢失。 RAM 可位扩展或字扩展，也可位、字同时扩展。通过扩展，可由多片小容量的 RAM 构成大容量的存储器。 * RAM 有静态 RAM和动态 RAM 之分。静态 RAM(即SRAM)的存储单元为触发器，工作时不需刷新，但存储容量较小。动态 RAM(即 DRAM)的存储单元是利用 MOS 管具有极高的输入电阻( 1010 ?)、在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信息的，由于栅极电容存在漏电，因此工作时需要周期性的对存储数据进行刷新。 EXIT * 概　述 第 9 章　半导体存储器 本章小结 随机存取存储器(RAM) 只读存储器(ROM) * 9.1　概　述 主要要求： 了解半导体存储器的作用、类型与特点。 * 　　例如计算机中的自检程序、初始化程序便是固化在 ROM 中的。计算机接通电源后，首先运行它，对计算机硬件系统进行自检和初始化，自检通过后，装入操作系统，计算机才能正常工作。 二、半导体存储器的类型与特点 只读存储器(ROM，即Read-Only Memory) 随机存取存储器(RAM，即Random Ac