《数字电子技术教学资料》第三章2.pptVIP

* 是由增强型 PMOS 管和增强型 NMOS 管组成的互补对称 MOS 门电路。比之 TTL，其突出优点为：微功耗、抗干扰能力强。 主要要求： 掌握 CMOS 反相器的电路、工作原理 和主要外特性。 了解 CMOS 数字集成电路的应用要点。 了解 CMOS 与非门、或非门、开路门、 三态门和传输门的电路和逻辑功能。 3.4　CMOS 集成逻辑门 * A uI Y uO VDD S G D D G S B VP VN B A uI Y uO VDD S G D D G S B VP VN B 增强型 NMOS 管 驱动管 增强型 PMOS 管 负载管 构成互补对称结构 一、CMOS 反相器 一 电路基本结构 要求VDD UGS th N +｜UGS th P｜且 UGS th N ｜UGS th P｜ UGS th N 增强型 NMOS 管开启电压 A uI Y uO VDD S G D D G S B VP VN B NMOS 管的衬底接电路最低电位，PMOS管的衬底接最高电位，从而保证衬底与漏源间的 PN 结始终反偏。. uGSN + - 增强型 PMOS 管开启电压 uGSP + - UGS th P uGSN UGS th N 时，增强型 NMOS 管导通 uGSN UGS th N 时，增强型 NMOS 管截止 O iD uGS UGS th N 增强型 NMOS 管 转移特性 时, 增强型 PMOS 管导通 时, 增强型 PMOS 管截止 O iD uGS UGS th P 增强型 PMOS 管 转移特性 A uI Y uO VDD S G D D G S B VP VN B 一 电路基本结构 UIL 0 V，UIH VDD * A uI Y uO VDD S G D D G S VP 衬底 B VN 衬底 B 二 工作原理 ROFFN RONP uO +VDD S D D S 导通电阻 RON 截止电阻 ROFF RONN ROFFP uO +VDD S D D S 可见该电路构成 CMOS 非门，又称 CMOS 反相器。 　　无论输入高低，VN、VP 中总有一管截止，使静态漏极电流 iD ? 0。因此 CMOS 反相器静态功耗极微小。 ◎ 输入为低电平，UIL 0V 时， uGSN 0V UGS th N ， UIL 0V 截止 uGSN + - VN 截止， VP 导通， 导通 uGSP + - uO ? VDD 为高电平。 A uI Y uO VDD S G D D G S VP 衬底 B VN 衬底 B 截止 uGSP + - 导通 uGSN + - ◎ 输入为高电平 UIH VDD 时， uGSN VDD UGS th N , VN 导通， VP 截止， ◎ 输入为低电平 UIL 0 V 时， uGSN 0V UGS th N ， VN 截止， VP 导通， uO?VDD , 为高电平。 UIH VDD uO ? 0 V ，为低电平。 * 二、其他功能的 CMOS 门电路 一 CMOS 与非门和或非门 1. CMOS 与非门 A B VDD VPB VPA VNA VNB Y 每个输入端对应一对 NMOS 管和PMOS 管。NMOS 管为驱动管，PMOS 管为负载管。输入端与它们的栅极相连。 与非门结构特点： 驱动管相串联， 负载管相并联。 * A B VDD VPB VPA VNA VNB Y CMOS 与非门工作原理 1 1 导通 导通 截止 截止 0 驱动管均导通， 负载管均截止， 输出为低电平。 ◆　　当输入均为 高电平时： 低电平输入端相对应的驱动管截止，负载管导通， 输出为高电平。 ◆ 　当输入中有 低电平时： A B VDD VPB VPA VNA VNB Y 0 截止 导通 1 因此 Y AB * 2. CMOS 或非门 A B VDD VPB VPA VNA VNB Y 或非门结构特点： 驱动管相并联， 负载管相串联。 * Y A B uO uI VDD1 漏极开路的CMOS与非门电路 二 漏极开路的 CMOS 门 简称 OD 门 与 OC 门相似，常用作驱动器、电平转换器和实现线与等。 Y AB 构成与门 构成输出端开路的非门 需外接上拉电阻 RD * C、C 为互补控制信号 由一对参数对称一致的增强型 NMOS 管和 PMOS 管并联构成。 PMOS C uI/uO VDD CMOS传输门电路结构 uO/uI VP C NMOS VN 三 CMOS 传输门 工作原理 MOS 管的漏极和源极结构对称，可互换使用，因此