氮化銦鎵發光二極體製程簡介200905.ppt

蒸鍍區 黃光區 化學區 蒸鍍區 電子束蒸鍍法(METAL) 利用高能電子射束之動能轉為熔化待鍍材料之熱能 ITO常用之蒸鍍法 ICP (感應式耦合電漿) (N-GAN EXPOSED) 乾式蝕刻通常指電漿蝕刻 利用正離子受磁場作用,加速衝撞晶片表面 所使用之腐蝕性物質較少,對環境汙染低 PECVD (電漿輔助化學氣相沉積)(SiO2) 利用電漿來幫助化學反應的進行,降低反應所需的製程溫度 常用氣體:SiH4 電子槍蒸鍍工作原理 通常系統是處於不鏽鋼所構成之真空室中，而欲蒸鍍之材料則置於一個由高熔點金屬材料所製成的載缽（boat）或坩堝中，藉由加熱的方式使蒸鍍材料熔化並且蒸發。在蒸鍍過程中，基板溫度對蒸鍍薄膜的性質有很重要的影響。通常基板也要適當的加熱，使蒸鍍原子具有足夠能量，可以在基材表面自由移動，如此才能形成均勻的薄膜 感應耦合式電漿(Inductively Coupled Plasma)ICP主要是利用RF所產生的感應磁場引發足夠的能量使氣體解離,其工作原理如下圖示,於銅線圈上加上一個高頻電源(RF POWER),當線圈的電流隨時間變化時,此變動的磁場會感應一反方向的電場,而此電場會加速空氣中游離的電子,被加速的電子隨著電源供應器功率提升而從中獲得足夠的能量與中性氣體分子碰撞發生解離產生電漿 感應耦合式電漿蝕刻系統如圖所示,在反應層上面有一介電層窗,上方有螺旋圍繞的線圈,並藉由此感應圈在介電窗下方產生電漿,電漿的產生位置距離晶片只有幾個平均自由徑,各只有少量的電將損失,因此可達成高密度電漿 黃光區 上光阻(Coat) 軟烤(95 ℃) 可改善附著性,提升Wafer上光阻均勻性 曝光(Exprose) 顯影 利用曝光部分及未曝光部分之光阻在溶解度的差別. 曝光部分在顯影時即被溶掉,未曝光部分則存留,形成耐酸腐蝕之保護膜. 曝光後即顯影,以免進一步感光,而使圖形解析度變差. 硬烤(100~140℃) 為了蒸發掉任何殘留的溶劑及硬化光阻,可改善了光阻對基板的附著性, 光阻是一種充分加熱會軟化與流動的物質,太高溫度會導致圖案變形. 光阻介紹 光阻塗佈 光阻塗佈 軟烤 化學區 濕式蝕刻 以不同化學溶液(蝕刻液)對不同材料反應的特性,可是有選擇性或全面性蝕刻 溶液濃度與溫度都會影響蝕刻深度 乾式蝕刻 乾蝕刻通常是一種電漿蝕刻(plasma etching)，由於蝕刻作用的不同，電漿中離子的物理性轟擊(physical bomboard)，活性自由基(active radical)與元件(晶片)表面原子內的化學反應(chemical reaction)，或是兩者的複合作用，可分：?物理性蝕刻：(1) 濺擊蝕刻(sputter etching) (2) 離子束蝕 刻(ion beam etching)?化學性蝕刻：電漿蝕刻(plasma etching)?物理、化學複合蝕刻：反應性離子蝕刻(reactive ion etching 簡 稱RIE)乾蝕刻是一種非等向性蝕刻(anisotropic etching)，具有很好的方向性(directional properties)但比濕蝕刻較差的選擇性(selectivity) 研磨站流程介紹 正光阻為在UV紫外光照射部份可以被顯影液去除掉， 而未曝光的光阻則不會被顯影液去除，而負光阻則反 之。 黃光區 光阻塗佈時須將光阻施佈於基材的中心，利用旋轉之 方式以，離心力的原理將光阻均勻的分佈於基材表面 ，通常在塗佈光阻液後，可以在塗佈機上設定不同的 轉速與時間來控制光阻液之厚度。塗佈方式從晶片中 央緩緩往外塗佈於晶片上光阻量，約晶片八分滿。 黃光區 黃光區 將光阻內的溶劑含量降低到4~7%，避免光阻沾黏上 光罩，且有回火的效果，可使光阻更平坦化也可增加 光阻附著力。 當過度烘烤時，光阻會過早聚合，對曝光不靈敏，而 烘烤不足時則會影響光阻附著力也會使光阻黏附於光 罩上而影響曝光。 黃光區 曝光模式介紹 接觸式 近接式 投影式 黃光區 黃光區 光學系統介紹 顯影 ．顯影劑溶解光阻軟化的部份 ．三個步驟：　顯影　?　洗滌　?　乾燥 黃光區 顯影 黃光區 化學區 藍綠光製程 藍綠光前段流程 ITO蒸鍍 ~2800A or 5600A ICP 乾蝕刻 ITO 黃光 ITO濕蝕刻去PR SiO2成長 Pad 黃光 SiO2蝕刻 P/N pad 蒸鍍 Lift-off Mesa 黃光 ICP後去光阻 Anneal前clean Anneal 500 ℃ COW測試 (Probing Te