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W39+离子的双电子复合过程的理论研究 摘要：利用基于全相对论组态相互作用理论的Flexible Atomic Code （FAC）程序包，详细研究了W39+离子从基组态3s23p63d104s24p5经过双激发态（3s23p63d104s24p5）-1nlnl（n 4-6，n 4-15）的双电子复合（DR）过程。通过比较不同壳层电子激发的双电子复合速率系数，得知4l壳层电子激发和3d电子激发的DR速率系数分别在低温和中高温度占主导地位，得到了主要的DR通道。为了方便应用，对总DR速率系数进行了参数拟合。 关键词：双电子复合 DR速率系数 W39+离子 中图分类号：O57 文献标识码：A 文章编号：1007-0745（2013）05-0274-02 1.引言 面壁材料是用来保护聚变装置的第一壁和偏滤器的无机非金属材料，总体要求是耐高温、低溅射、低氢滞留及与结构材料相兼容等。钨作为耐热材料，熔点高、磨损率低化学性质稳定，是国际热核聚变实验反应堆（ITER）tokamak装置偏滤器部分主要候选的面壁材料及等离子体诊断探针元素[1]。而在偏滤器等离子体的辐射冷却过程中，复合过程是高离化态钨离子辐射损失的重要原因。因此，对钨离子光谱和各种物理过程的研究有很重要的实际应用价值。 在过去的几十年里，人们已经对钨离子进行了大量研究。Behar和Peleg等[2，3]对W45+，W46+，W56+和W64+离子的DR过程进行了研究；Safronova等[4]详细研究了W29+到W30+和W63+到W64+离子的激发能量、辐射跃迁速率系数、自电离速率系数、双电子伴线和DR速率系数；Meng等[5]系统的研究了W47+离子的DR过程，Ballance等[6]研究了W35+离子的DR过程等。所有这些研究涉及了诸多离化度钨离子的多种物理过程，获得了大量有用的数据，但对复杂结构钨离子的研究目前还较少。 本文基于全相对论组态相互作用理论的Flexible Atomic Code（FAC）[7] 程序包细致研究了W39+离子在电子温度为1eV-50keV范围内的DR过程。其中考虑了内壳层激发的贡献。最后，为满足ITER项目的需求以及实验工作者的应用，对总DR速率系数进行了参数拟合。 2.理论方法 其中，i是DR初态，j是中间双激发态，f和f是辐射跃迁末态，i 是Auger末态，me是电子质量，Eij表示共振能量，gi和gj分别表示i态和j态的统计权重，Aa和Ar分别表示Auger跃迁几率和辐射跃迁几率。 3.结果与讨论 3.1 内壳层电子激发的DR速率系数 W39+离子的基组态为3s23p63d104s24p5，其DR过程中既可以激发4s和4p电子，也可以激发3s、3p、3d电子。本文利用FAC程序包，通过中间双激发态（3s23p63d10）-14s24p5nlnl（n 4-5， n 4-15， l 0-8） 和3l18（4s24p5）-1nlnl（n 4-6， n 4-15， l 0-12）对DR速率系数进行了细致计算。计算中考虑了基组态的统计权重以及辐射和Auger衰变过程所有可能的跃迁。在计算得到态-态DR速率系数后，通过对初态平均末态求和得到了总的DR速率系数。通过计算我们发现，在电子温度小于800eV时，4l壳层电子激发的DR速率系数占主导地位，其中4p电子激发的速率系数最大，但4s激发的DR速率系数的贡献也是不能忽略的。对于3l壳层电子激发来说，3d电子激发的DR速率系数是最大，而且随着l的减小DR速率系数的贡献逐渐减小。随着电子温度的增加，3d 电子激发的DR速率系数的贡献逐渐增加并且逐渐和4l壳层电子激发的速率系数曲线交叉。然而，3s电子激发的DR速率系数是总的DR速率系数的3%，因此，3s电子激发的DR速率系数的贡献可以忽略。当 1250eV时，3d电子激发的DR速率系数曲线与4s电子激发的DR速率系数曲线出现交叉，这是因为4s电子激发的共振能量Eij较小，使得其DR速率系数峰值偏向低温，而3d电子激发的共振能量Eij较大，其峰值偏向高温。根据公式（1），DR速率系数正比于exp（-Eij/kTe），随着温度的增加，4l电子激发的DR速率系数曲线减小得较快，而3l电子激发的DR速率系数曲线减小得较慢，从而导致4l与3l壳层电子激发的DR速率系数随着电子温度的升高出现交叉现象。因此，对于ITER来说，其中心温度为1eV～25ekV，4s， 4p， 3p和3d电子激发的DR速率系数是非常重要的。 3.2 拟合速率系数 4.结论 利用基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包，对W39+离子在电子温度为1eV-50keV范围内的DR速率系数进行了详细的计算研究。对不同电子激发的DR过程的研究表明，4l壳层电子和3d电子激发分别在低温和高