第二章单端反激TOPswitch概述.ppt

假设VDS为零，实际考虑为10V TOPSwitch漏极箝位与齐纳管、阻断管的选择： 当MOSFET截止时，变压器的漏感将产生尖峰电压，该尖峰电压必须被箝位低于BVDSS ，箝位电路由齐纳二极管VR1和阻断二极管D1组成 ； 反向阻断管采用超快恢复高压整流管，其反向恢复时间应小于75ns，击穿电压值的选择为：TOP1××系列用400V， TOP2××系列用600V，； 箝位齐纳管在瞬态或稳态时，必须有足够的控制能，其箝位电压大致高于反射输入电压VOR的1.5倍。对于TOP1××器件，VOR应取60V或小些；对于TOP2××器件VOR应取135V或小些； 注意齐纳二极管的热阻抗和稳态功耗能力依赖于引脚导线的直径，它应当在0.037—0.043英寸之间。 （4）设置脉动电流IR与峰值电流IP的电流比例因数KRP 在大多数连续工作状态下，对于电网为 100-115 VAC或者通用输入交流电压时，先取电流比例因数KRP＝0.4；在230VAC电网输入时，取KRP 0.6。当连续工作状态较少时，KRP会增加到较高值。按上述定义，KRP不会大于1.0，并且也不可能被设置在比0.4更小的数值。 （5）确定原边波形参数IAVG、IP 、 IR 、IRMS （6）根据TOPSwitch数据库中的最小电流限制ILIMIT和要求的IP值，来确定其型号。 产品资料中的电流限制最小值 ILIMIT 是在室温下的，具有负温度系数，必须考虑 ILIMIT 在高温时下降 10％ 来计算，并将其与数据库中的最小限制电流 ILIMIT 作比较，大于该 ILIMIT 数值的最小功率的 TOPSwitch，应当作为最低功耗的首选器件。 （7）如果有必要减少功耗，可用较大的TOPSwitch来检验热温升限制。 低电网输入电压时，TOPSwitch的导通损耗： 100摄氏度高温 低电网电压条件下，TOPSwitch的开关损耗： 由总损耗来计算结点温度： 若 ,应当选用更大功率的TOPSwitch器件。 （8）确定原边绕组电感量LP 或 原边绕组匝数NP： （检验电路测量LP的方法之一） TOPSwitch导通时，IP升到IR，变压器储能；器件截止时，与IR有关的储能增量提供给负载和副边损耗。 Z为副边损耗与总损耗的比例值。如Z＝1，所有损耗都在副边；如Z＝0，所有损耗都在原边。如无更好信息，则取Z 0.5 （9）副边绕组匝数NS、偏置绕组匝数NB VO为输出电压、VD为输出二极管正向电压、NS为副边绕组匝数、VB为指标偏置电压、VBD为偏置二极管电压。 副边绕组匝数NP可由反射电压电压VOR、副边输出电压VO 、整流二极管正向电压VD来求得。 副边峰值电流ISP： 副边电流有效值ISRMS： 输出电容器的脉动电流IRIPPLE：（该参数并不是实际变压器的参数，但对于电容器的选取有用。） 其中，输出电流I0为输出功率P0与输出电压V0的比值。 § 2.2 变压器的设计方法与绝缘特性 一、变压器的参数设计 变压器作用：既是变压器，又是储能元件； 参数设计 要求： （1）先求出原边绕组电感量Lp； （2）选择规格、尺寸合适的高频变压器磁芯； （3）再计算原边绕组匝数Np； （2） 因为反激式变换器的功率通常较小，一般选用铁氧体磁芯最为变压器，其功率容量如下： （1） 根据计算出的Ap，选取余量稍大的磁芯即可。 （3） 二、变压器的绝缘特性 反激式变压器在原边与副边绕组之间必需有绝缘措施，通常在变压器原副边之间有5～6mm 的漏电距离。 在每个绝缘层的电气强度不满足规范要求时，在原副边之间采用两个绝缘层，一层是基本的，一层是补充的，若两个绝缘层组合仍不满足要求，可采用带增强层的三个绝缘层。 （电气绝缘指标是指电气强度的测试，施加典型值3000VAC交流高压的时间长达60秒不被击穿。） 第二章 单端反激式开关稳压电源 § 2.1 基本工作原理 § 2.2 TOPSwitch组成单端反激式 开关电源的设计流程 § 2.3 参数分析与计算公式 § 2.4 变压器的设计方法与绝缘特性 § 2.1 基本工作原理 一、电路结构 电感储能式变换器 二、副边电流的三种工作状态： 1、 2、 3、 令is 0, 可求出临界状 态的关断时间: 1、 2、 3、 三、三种工作模式： 1）根据二次侧电感电流的最小值是否大于输出电流： 完全电感供电模式（CISM） 不完全电感供电模式（IISM） 二次侧临界电感 2）根据二次侧电感电流的最小值是否为零： 电感电流连续模式（CCM） 电感电流不连续模式（DCM） 二次侧临界电感 故而三种模式为： （1）完全电感供能模式（CISM） 二次侧电流最小值 （2）不完全电感供能且连续导电模式（IISM-C