大学物理4第三章半导体激光器件.pptVIP

3.3.2 异质结半导体激光器 一、双异质结半导体激光器(DHL） 施加正向偏压时, 激活区内注入的电子和空穴，由于两侧高势垒的限制，深度剧增，激活区厚度变窄，d=0.5?m。 由于激活区两侧折射率差都很大，“光波导效应作非常显著，使光波传输损耗大大减小。阈值电流密度更低，可降到(102一103) A/cm2。 当采用GaAs和GaAlAs量子阱材料制作激光器时，阈值电流密度下降到几A/cm2。目前，这种激光器已成为极为重要的、实用化的相干光源。 正向偏置时双异质结与同质结载流子分布的对比 * 中间的窄带隙层对载流子形成了很好的限制作用 正向偏置的同质结 正向偏置的双异质结 窄带隙层一般还具有比较高的折射率，光波导效应明显 3.3.3 分布反馈（DFB）激光器 动态单纵模激光器：在高速调制下仍能单纵模工作的半导体激光器。 分布反馈半导体激光器：在异质结激光器具有光放大作用的有源层附近，刻上波纹状的周期光栅构成的。 光栅结构制作在限制层中 DFB激光器与普通激光器的对比 DFB激光器的光谱宽度大约为普通型激光器的1/10左右 色散的影响大为降低，可以实现速率为10Gb/s的超高速传输 3.3.4 垂直腔表面发射半导体激光器 垂直腔面发射激光器（VCSEL：Vertical-cavity surface-emitting laser） 谐振腔的腔镜由折射率不同的物质层交错堆积而成 从垂直于半导体薄片的方向发射激光，使激光束的截面成为圆形，减小了激光束的发散角，克服了原来从半导体侧面发光的缺点。 能够在同一块板上集成一百万只小激光器，其激发电流仅1mA。 表面发射半导体激光器 3.3.4 垂直腔表面发射半导体激光器 与边缘发射半导体激光器阵的差别： 制造方法、临界大小以及光束发射方向和形状。 用集成电路技术，每一个表面发射半导体激光器可以做得很小，最小可到1?m,而每一个边缘发射半导体激光器最小也有50?m. 边缘发射半导体激光器 表面发射半导体激光器 * 固体能带理论解释 * * * 为了在半导体材料中获得充分的光增益，必须采用直接带隙材料，并通过外部激励的方法保持导带中具有一定浓度的电子，同时价带中具有一浓度的空穴，使半导体内的受激辐射几率大于受激吸收几率。这是半导体材料的粒子数反转条件。 为了在半导体材料中获得充分的光增益，必须采用直接带隙材料，并通过外部激励的方法保持导带中具有一定浓度的电子，同时价带中具有一浓度的空穴，使半导体内的受激辐射几率大于受激吸收几率。这是半导体材料的粒子数反转条件。 * * 由于能级越低，电子占据的可能性越大· * 由于能级越低，电子占据的可能性越大· * * 由于能级越低，电子占据的可能性越大· * * 早在1989年美国ATT贝尔实验室和贝尔通信研究所共同研制成功了第一个低阈值的垂直腔表面发射半导体激光器（简称表面发射半导体激光器）， * 早在1989年美国ATT贝尔实验室和贝尔通信研究所共同研制成功了第一个低阈值的垂直腔表面发射半导体激光器（简称表面发射半导体激光器）， 内电场阻止多子扩散 因浓度差 多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 我们一起作个总结 PN结形成 基本概念 扩散运动 多子从浓度大向浓度小的区域扩散， 扩散运动产生扩散电流。 漂移运动 少子向对方漂移， 漂移运动产生漂移电流。 动态平衡 扩散电流=漂移电流，PN结内总电流=0。 PN 结 稳定的空间电荷区， 又称高阻区， 也称耗尽层。 ? V? PN结的接触电位 ? 内电场的建立，形成接触电势差VD，称为接触势垒 ? 接触电位VD决定于材料及掺杂浓度 硅： V?=0.7 锗： V?=0.2 如果两种材料的费米能级不同，就会在两种材料的分界面上发生电荷的扩散而产生接触电势差，这种扩散运动使两种材料的费米能级逐渐趋于一致，建立起新的热平衡态，达到平衡时，形成新的统一的费米能级。 * 同质结： 组成P-N结的P型半导体和N型半导体的基质材料相同 异质结： 组成P-N结的P型半导体和N型半导体的基质材料不同 同型异质结： 由具有相同掺杂类型的不同半导体材料构成 异型异质结： 由具有相反掺杂类型的不同半导体材料构成 同型异质结 异型异质结 同质结与异质结 同质结中P区和N区具有大致相等的禁带宽度 * 半导体双异质结 (Double Hetero Structure) 由两层宽带隙层材料和位于它们之间的窄带隙层材料组成 通常包含一个同型异质结和异型异质结 双异质结 * 同质结与双异质结的能带特性比较 平衡状态下的能带图 加正向偏置时能带图 辐射复合主要发生在窄带隙层，有源层。 同质结 双异质结 具有更高的载流子注入效率和光场限制