大学物理D13_频率响应.pptVIP

Chapter 13 頻率響應 本章重點一覽 13.1 頻率響應的起源 高頻響應 低頻響應 S-domain分析法 低通濾波器 高通濾波器 13.2 典型放大器頻率響應 增益頻寬乘積  13.3 放大器低頻響應 本章重點一覽 13.4 放大器高頻響應 寄生電容效應 米勒定理 13.5 CB放大器和Cascode放大器 13.6 其他高頻放大電路 13.7 結語 13.1 頻率響應的起源 頻率響應(frequency response) 是指一個電路對不同頻率輸入信號的反應。 頻率響應不單對放大器而言，事實上任何電路都有頻率響應。 造成一個電路對不同頻率的信號有不同反應的原因很多，不過以放大器而言，其中最重要的原因來自於電容 : 使用者外加電容 電晶體內部寄生電容 13.1 頻率響應的起源 RC元件的線性電路存在一重要特性 假如輸入是sin(wt +θ)的弦波信號，則輸出信號必然是弦波信號，其相位及振幅會隨不同電路而改變，但頻率則維持不變。 只需關注相位及振幅的變化而不需考慮頻率變化。 以比較簡單的數學方法，來分析線性電路對弦波信號的反應―發展一套基於Laplace轉換的電路分析方法 → S-domain分析法。 13.1 頻率響應的起源 S-domain分析法 將電容視同電阻來處理。 定義電容的阻抗(impedance)為 : 令 s= jw，即對一個sin wt的信號，電容阻抗為 : 13.1 頻率響應的起源 低通濾波器(Low pass filter, LPF) 它「喜歡」讓低頻信號通過並濾掉高頻信號。 傳導函數為 : 13.1 頻率響應的起源 傳導函數(transfer function) H(W)是一個複數函數。  |H(w)|稱為振幅響應(amplitude response)θ(w) 稱為相位反應(phase reponse) 一旦得到H(w)之後，等於知道此電路對任何頻率信號的反應。 13.1 頻率響應的起源 振幅響應圖 w = 0 w→∞ w=w0=1/RC |H(w0)| = -3 dB 13.1 頻率響應的起源 波德圖(Bode Plot) 橫軸為log(w)，縱軸為20 log X (單位為dB)。 主要精神 :忽略不必要的細節，但保留主要的參數及變化趨勢。  13.1 頻率響應的起源 波德圖(Bode Plot) 頻率加倍時振幅減少，故其斜率為-6 dB/octave頻率增加十倍時，則振幅減少20dB，所以其斜率也可以標示為-20dB/decade。 玻德圖雖然不精確，但優點是簡單明瞭，以3dB頻率wo為轉折點，將兩段頻率區間的主要特徵清楚表現出來，對工程師掌握電路特性很有幫助。 13.1 頻率響應的起源 振幅響應圖 相位響應圖 13.1 頻率響應的起源 另一形式低通濾波器 13.1 頻率響應的起源 高通濾波器(High Pass Filter, HPF) 這個電路「喜歡」讓高頻信號通過並濾掉低頻信號。 Transfer function 為 : 13.1 頻率響應的起源 高通濾波器(High Pass Filter, HPF) 振幅響應圖 相位響應圖 13.1 頻率響應的起源 另一種形式的高通濾波器 Transfer function 為 : 13.1 頻率響應的起源 簡單結論 根據電容的阻抗特性及簡單的分壓觀念，很容易判別一個RC電路是LPF或HPF。 不論電路結構如何改變，其3dB頻率約等於1/ReqC，而Req等於信號源短路時，電容C兩端所看到的等效電阻。 13.2 典型放大器頻率 響應 圖13.13(a)是CE/CB/CC等BJT放大器以及CS/CG/CD等FET放大器典型的頻率響應 定義： ＷＬ：低3dB頻率(lower 3-dB frequency)。  ＷＨ：高3dB頻率(upper 3-dB frequency)。  定義放大器頻寬為 13.2 典型放大器頻率響應 增益頻寬乘積(Gain-Bandwidth product ) 定義為 GB = AM · BW 重要結論  放大器的低頻響應限制(wL)主要由於外加電容所造成。但這並非根本的限制，可以利用特別的電路結構來避免使用外加電容(例如差動放大器)，如此可以去除低頻的限制。 放大器的高頻響應限制(wH)主要由於電晶體內部的寄生電容所造成。由於寄生電容無法藉著電路結構去除，所以是放大器的根本限制，即所有放大器都有高頻響應限制。 13.2 典型放大器頻率響應 另一種典型的放大器頻率響應