第3 章 门电路 (补：半导体基础知识).pptVIP

* 理想情况下：i的值与v没有关系，开启电压是固定的（0.7v）。 * T: time , P: propagation , h: high, l:low * 缺点：传输延迟加大了。 饱和区Vce的值很小；当ic很小的时候，Vce的值较大，随着ic增大，Vce的值变小。 * IOH IIH * IIL * 六 、三极管反相器 三极管的基本开关电路就是非门 实际应用中，为保证 VI VIL时T可靠截止，常在 输入接入负压。 参数合理 VI VIL时，T截止，VO VOH VI VIH时，T导通，VO VOL 例3.5.1：计算参数设计是否合理 5V -8V 3.3KΩ 10KΩ 1KΩ β 20 VCE sat 0.1V VIH 5V VIL 0V 例3.5.1：计算参数设计是否合理 将发射极外接电路化为等效的VB与RB电路 当 当 又 因此，参数设计合理 3.5.2 TTL反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 设 二、电压传输特性 详细介绍 二、电压传输特性 二、电压传输特性 需要说明的几个问题： 三、输入噪声容限 3.5.3 TTL反相器的静态输入特性和输出特性 例：扇出系数（Fan-out）， 试计算门G1能驱动多少个同样的门电路负载。 门电路的输入特性和输出特性分别由图3.5.12、14、16给出。 输入 输出 3.5.4 TTL反相器的动态特性 一、传输延迟时间 1、现象 二、交流噪声容限 （b）负脉冲噪声容限 （a）正脉冲噪声容限 当输入信号为窄脉冲，且接近于tw时，输出变化跟不上，变化很小，因此交流噪声容限远大于直流噪声容限。 三、电源的动态尖峰电流 2、动态尖峰电流 3.5.5其他类型的TTL门电路 一、其他逻辑功能的门电路 1. 与非门 2. 或非门 3.与或非门 4. 异或门 二、集电极开路的门电路 1、推拉式输出电路结构的局限性 ① 输出电平不可调 ② 负载能力不强，尤其是高电平输出 ③ 输出端不能并联使用 OC门 2、OC门的结构特点 OC门实现的线与 3、外接负载电阻RL的计算 3、外接负载电阻RL的计算 IOH IIH 3、外接负载电阻RL的计算 ILM IIL 三、三态输出门（Three state Output Gate ,TS） P135 三态门的用途 一、高速系列74H/54H （High-Speed TTL） 电路的改进 1 输出级采用复合管（减小输出电阻Ro） 2 减少各电阻值 2. 性能特点 速度提高 的同时功耗也增加 2.4.5 TTL电路的改进系列 （改进指标： 二、肖特基系列74S/54S（Schottky TTL） 电路改进 采用抗饱和三极管 用有源泄放电路代替74H系列中的R3 减小电阻值 2. 性能特点 速度进一步提高，电压传输特性没有线性区，功耗增大 三、低功耗肖特基系列 74LS/54LS （Low-Power Schottky TTL） 四、74AS,74ALS （Advanced Low-Power Schottky TTL） · · · 2.5 其他类型的双极型数字集成电路* DTL：输入为二极管门电路，速度低，已经不用 HTL：电源电压高，Vth高，抗干扰性好，已被CMOS替代 ECL：非饱和逻辑，速度快，用于高速系统 I2L：属饱和逻辑，电路简单，用于LSI内部电路 · · · 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 N沟道 P沟道 注意P沟道的电源连接方式 注意P沟道的电源连接方式 二、电压、电流传输特性 S Source ：源极； D Drain ：漏极； G Gate ：栅极； B 衬底。 三、输入噪声容限 S Source ：源极； D Drain ：漏极； G Gate ：栅极； B 衬底。 结论：可以通过提高VDD来提高噪声容限 P83 3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性 一、输入特性 P84 图3.3.16 　　当有反向高压时，Ｄ首先击穿，保护Ｔ。 　　小的电流波动由C来吸收。 二、输出特性 描述输出的变化 二、输出特性 3.3.4 CMOS反相器的动态特性 一、传输延迟时间 T: time , P: propagation , h: high, l:low 二、交流噪声容限 三、动态功耗 三、动态功耗 3.3.5 其他类型的CMOS门电路 一、其他逻辑功能的门电路 1. 与非门 2.或非门 带缓冲极的CMOS门 1、与非门 RON：导通内阻 带缓冲极的CMOS门 2.解决方法 分析其优缺点？ 二、漏极开路的门电路（OD门） P131 OC 门电路 三、 CMOS传输门及双向模拟开关 1. 传输门 P N 2. 双向模