专题海报[杨欣达刘翊筑].pptVIP

* 一種控制MOS門限電壓的運算放大器之設計 A Method of Design Low-Power Operational Amplifier with CDB technique 學生：楊欣達，劉翊筑 指導教授：蕭敏學老師 Abstract 本論文討論如何在既有的製程技術下利用電路設計的方式去改變電晶體的門限電壓，藉此可以使用極低的電源電壓去驅動放大器。在0.35um製程典型工作電壓一般不可太低；若想降低使用的供應電壓，則只能採用0.18um製程或改變元件材質。如果要使用0.35um製程又要降低電壓供應源的話，本論文提出一種嶄新的方式，可從電路設計上著手降低電晶體的門限電壓 Threshold Voltage、Vth 來完成需求。本文中探討如何以CDB Current Driven Bulk 技術降低電晶體之門限電壓，以及將此方法實際應用於運算放大器設計中，並透過模擬觀察其特性之變化與影響。. CDB Current Driven Bulk 以NMOS為例 圖1. ，從基板端注入電流，其電流與空乏區內 之電荷結合則會直接影響基板裡面等效摻雜濃度，造成空乏區受 體載子 NA 下降，等效於空乏區縮小，通道更容易產生，達到降 低門限電壓之目的；PMOS亦可使用同樣的注入方法。而下圖 圖 3. 為CDB技術設計流程圖。 case1:Single PMOS IInject [