IC工艺4new重点.ppt

反应腔内部灯丝加热到其表面可发射电子的温度，带负电的电子被反应腔中的正电极所吸引，电子从灯丝运动到正电极的过程中与杂质源分子碰撞，产生大量的该分子所含元素形成的正离子。再经吸极吸出，由初聚焦系统聚成离子束，射向磁分析器。 * * * 经过质量分析器出来的离子束，还要经过加速运动，才能打到硅片内部去。 * 经过质量分析器出来的离子束，还要经过加速运动，才能打到硅片内部去。 * 偏束板的作用：偏转的目的是使束流传输过程中产生的中性粒子流因直线前进不能到达靶室。 方法：用一静电偏转板使离子束偏转5o--8o作用再进入靶室。 * 加速管 加速管一端加高压，一端接地，形成一个静电场，离子在静电场的作用下加速到所需能量。 * * 作用：使离子获得所需的能量。 原理：利用强电场，使离子获得更大的速度。 100 MW 100 MW 100 MW 100 MW 100 MW 0 kV -100 kV -80 kV -20 kV -40 kV -60 kV +100 kV Ion beam Ion beam To process chamber Electrode From analyzing magnet Resistors are added to prevent charge-up of insulators by beam 高能注入机的线形加速器 电极间总的电压差决定了注入能量，注入机通常以最大离子束电流和加速电压来划分。 * * 是一种直线型设计，沿轴向由一系列被介质隔离的带负电的环形电极组成，电极上的负电压依次增大。 源 原子质量 分析磁体 线形加速器 最终能量 分析磁体 扫描盘 硅片 聚焦和扫描系统 * * 由加速管出来的离子先由静电聚焦透镜聚焦，再进行x、y两个方向扫描，然后通过一套X-Y电极构成的偏转系统注到靶上。 + Ion beam Y-axis Deflection Y轴偏转 X-axis deflection Wafer Twist 旋转 Tilt 倾斜 High frequency X-axis deflection Low frequency Y-axis deflection 扫描系统 * * 目的：使离子在整个靶片上均匀注入。 注入到硅片中的离子束是在成分和能量方面纯净的离子束，这种聚束的离子束通常很小，必须通过扫描才能覆盖整个硅片。 扫描在剂量的统一性和重复性方面起着关键作用。 靶室和后台处理系统 离子束向硅片注入发生在靶室 工艺腔 中。 * * 根据不同需要，可采用高温靶（800℃），低温靶（液氮温度），冷却靶（小于120℃）。 靶室是注入机的重要组成部分，包括具有真空锁的全自动装片和卸片机构、测量电荷的法拉弟杯和计算机控制系统；另外还有一些监测和控制沟道效应的装置。 Wafer Handler for Implant Chamber注入工艺腔的硅片传送器 VIISion End Station Process Chamber Terminal Subsystem Source Subsystem Implant Subsystem Operator interface Wafer cassette loadlocks 片架真空锁 Wafer handler Scan disk Video monitor Wall Two Wafer Wheels. While one is loading/unloading, 2nd is being implanted. * * 离子注入机的终端口 Photograph provided courtesy of International SEMATECH * * 法拉第杯电流测量Faraday Cup - Beam Current Measurement Scanning disk with wafers Scanning direction Faraday cup Suppressor aperture Current integrator Sampling slit in disk Ion beam 作用：进行剂量控制 * * 离子注入层的评估之一 四探针测试仪用于测试方块电阻 * * 离子注入层的评估之二 特殊测试技术—光学剂量测定 * * 主要质量测量参数 硅片表面无法接受的颗粒沾污 剂量控制 使用低能注入的超浅结结深 * * 主要问题的检查 剂量不均匀造成硅片表面不同区域 的杂质含量不同； 离子束中的沾污； * * * 15 Praxair Semiconductor Manufacturing Technology, Module 3: Semiconductor Manufacturing Processes Ion Implantation