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第三章 氧化 SiO2的特性 例题 热氧化的生长速率 两种极限情况再讨论 杂质在界面的再分布影响氧化作用。重掺磷的硅可以观察到氧化速率增大现象。当掺磷的硅被氧化时，在分凝过程中，只有少量的磷被分凝到SiO2中，因而抛物型速率常数只表现出适度的增加，这是因为分凝进入SiO2中的磷量很少，氧化剂在SiO2中的扩散能力增加不大。大部分磷因分凝而集中在靠近硅表面的硅中，结果使线性氧化速率常数明显大。 如果掺杂元素分凝进氧化硅中并且保留在那里(这是在氧化气氛中掺硼的情况)，则在氧化硅中的价键是薄弱的，这种薄弱结构使氧化剂容易结合进氧化层，并使氧化剂穿过氧化层的扩散率增加，因此增加了氧化速率。分凝进氧化硅但又快速穿过氧化硅的杂质(例如铝、镓和铟)存在与轻掺杂同样的氧化机理。从上述讨论可以看到，在扩散控制占优势的地方，氧化动力学增强是必然的。 第三章 氧化 D-G模型的修正方程 对于修正的解释 薄氧化层的生长技术 热氧化过程中的杂质再分布 杂质再分布 杂质再分布 杂质再分布 §2.5.2 杂质再分布对Si表面浓度的影响 氧化层及氧化界面的特性 掩蔽厚度的确定 Si-SiO2的界面特性 可动离子电荷Qm 界面陷阱电荷Qit 固定氧化层电荷Qf 氧化层陷阱电荷Qm 氧化技术和氧化系统 干氧、湿氧、HCl干氧氧化 作业 1 SiO2膜的结构性质 SiO2膜的结构，Si-O四面体，腐蚀性质及其反应方程式。 2 SiO2膜的主要应用 网络形成者、网络改变者是指什么？ 掌握SiO2膜的主要应用主要包括掩蔽扩散，MOS器件的绝缘层，表面钝化，集成 电路的介质隔离。 3 氧化方法 干氧氧化，湿氧氧化，水汽氧化，高压氧化，热分解淀积等方法的概念及区别， 工艺参数对生长速率的影响，及实际生产中采用的氧化方法是什么。 4 氧化生长动力学 Deal-Grove模型，能阐述氧化生长动力学过程 表面反应控制，质量输运控制的原理和适用条件是什么。 初期氧化过程，Si-SiO2界面的杂质分凝及分凝系数定义，及氧化过程中Cl元素的 应用原理。 5 Si-SiO2的界面有四种类型的电荷。 6 常用的氧化方法有哪些？ 界面态或称界面陷阱电荷Qit是指存在于Si-SiO2界面、能量处于硅禁带中、可以与价带或导带方便交换电荷的那些陷阱能级或电荷状态。这些界面态是分布在硅的禁带之中，因此定义每单位能量上的界面陷阱密度为Dit，单位为个/cm2eV。那么，能带中间的Dit的值对于(100)的硅来说，大约是2~3x1010 /cm2eV ，然后快速的增长，到了能带的边缘就变成了1013 /cm2eV ，(111)硅在能带中间的陷阱密度大约比(100)硅要高5倍。 界面态使MOS晶体管的阈值电压漂移；使MOS电容的C-V曲线发生畸变；界面态还可以成为有效的复合中心(主要是接近禁带中间的深能级)，导致漏电流的增加；并减小MOS器件沟道的载流子迁移率，使沟道电导率减小。 界面陷阱电荷的产声机理主要有三种解释：1由为氧化后Si的剩余悬挂健表现为界面态；2由电离杂质的库仑力在界面附近所形成的束缚空穴和电子表现为界面态；3界面附近的杂质形成的界面态。 在低温、惰性气体退火可以大大降低界面态密度 第三章 氧化 固定氧化层电荷Qf通常是带正电，但是在某些情况下也可能带负电，它的极性不随表面势和时间的变化而变化，所以叫它固定电荷。固定氧化层电荷Qf通常是带正电．但是在某些情况下也可能带负电，它的极性不随表面势和时间的变化而变化，所以叫它固定电荷。 Qf是由在Si-SiO2界面的片电荷所组成，通常是由Si-SiO2之间过渡区的结构改变引起的。在比较薄的氧化层中这些电荷大约位于距界面处3nm的地方，然而在超薄氧化层(＜3nm)中，电荷离界面更近，或者是分布于整个氧化层之中。从氧化动力学观点来看，固定电荷是由大量过剩Si+存在于Si-SiO2界面附近等待与扩散进来的氧原子反应，当氧化停止时，这些Si离子就留在了氧化层界面附近，进而形成固定电荷。 与界面态的作用相类似，SiO2中固定止电荷的存在也将影响MOS器件的阈值电压，减小沟道载流子迁移率。 硅衬底晶向、氧化条件利退火温度的适当选择，可以使固定正电荷控制在较低的密度，同时降低氧化时氧的分压，也可减小过剩Si+数量，有助于减小固定正电荷密度，另外，含氯氧化工艺也能降低固定正电荷的密度。 第三章 氧化 后要讨论的是氧化层陷阱电荷Qm，它位于SiO2中和Si-Si02界面附近，这种陷阱俘获电子或空穴后分别荷负电或正电。 在氧化层中有些