半导体第3讲-区熔提纯技术方案.pptVIP

质量迁移1、熔化时体积缩小，输运的方向与区熔的方向一致 第一段，刚开始区熔，熔化时A熔区体积缩小,设锭材高为1，熔化时体积缩小后高为x x xy1 第二段，熔化时第二个熔区B体积缩小,第一个熔区冷凝，由于A是从左到右局部冷凝，而且B熔区也开始熔化，所以A冷凝后的高度略增加，而且从左到右缓慢上升 A A B 如果熔区不移动，则A熔区冷凝后还会增加体积恢复原样，但由于熔区的移动，不断有材料熔化而造成体积缩小，即使先凝固的部分体积略有增加，也必需与熔化的部分保持一个平面，而不可能凭空拨高，所以凝固区从左到右高度增加，但不会到原来的高度。 y 半导体材料 Tel: Email：zxdlab@163.com 第二章 区熔提纯(zone-refine) 区熔提纯是1952年美国科学家蒲凡提出的一种物理方法，用于制备超纯的半导体材料，高纯金属。 2.1 分凝现象 将含有杂质的晶态物质熔化后再结晶时，杂质在结晶的固体和未结晶的液体中的浓度是不同的，这种现象称分凝现象或偏析现象。 区熔提纯就是利用分凝现象将物料局部深化形成狭窄的熔区，并令其沿锭长一端缓慢地移动到另一端，重复多次使杂质尽量集中在尾部或头部，进而达到使中部材料提纯的目的。 平衡分凝系数 定义： 平衡分凝系数 = 杂质在固相中的浓度 CS 杂质在液相中的浓度 CL 在某一温度下，固