半导体二极管技术方案.pptVIP

模拟电子技术基础 从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性 2. 伏安特性受温度影响 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 正向特性为指数曲线 反向特性为横轴的平行线 增大1倍/10℃ 模拟电子技术基础 二极管主要参数 最大整流电流IF：最大平均值 最大反向工作电压UR：最大瞬时值 反向电流 IR：即IS 最高工作频率fM：因PN结有电容效应 模拟电子技术基础 二极管基本电路及其分析方法 二极管是一种非线性器件，采用线性元件构成的电路来近似模拟二极管的特性 ——模型法 二极管等效模型 1、理想模型 正向偏置时，管压降为0V， 而当反向偏置时，电阻为 无穷大，电流为零。 电源电压远大于二极管的管压降 模拟电子技术基础 2、恒压降模型 当二极管导通后，其管压降为恒定，且不随电流而变。 对于硅管来说当vD0.7V时就截止，当vD 0.7V时就导通。 对于锗管来说当vD 0.2V时就截止，当vD 0.2V时就导通。 vD iD + - iD vD 近似分析中最常用 模拟电子技术基础 3、折线模型 修正恒压降模型，即二极管的管压降不是恒定的，随着通过二极管电流的增加而增加。 模型中用一个电池和一个电阻rD进一步近