半导体复习技术方案.doc

第一章 半导体的晶格结构及特点 金刚石型结构的特点： 第Ⅳ主族元素 ，共价键结合 组成单元：正四面体。每个原子周围有4个最相邻的原子 原子中晶胞的排列：8个原子（顶角）、6个原子（面中心）、内部4个 闪锌矿型结构的特点： Ⅲ族元素和Ⅴ族元素合成。两套面心的套构形成了闪锌矿结构； 与金刚石结构类似，所不同的是前者由两类不同的原子组成。 依靠共价键结合，但有一定离子键的成分。常称为极性半导体。 3.纤锌矿型结构 两套六角的套构形成了纤锌矿结构。 每个原子与最近邻的四个原子依然保持 “正四面体”结构。 主要由II和VI族原子构成，它们的大小、电负性差异较大。呈现较强的离子性，如：硫化锌、硫化镉等。 电子的公有化运动及能带分裂 电子的公有化运动：电子只在相似壳层转移 产生是由于不同原子相似壳层的交叠 只有最外层电子的公有化运动才显著，内层电子公有化运动弱，可忽略。 能带分裂：两个电子互相靠近时，电子除了受到本身电子势能作用外，还受到另一个势能作用。导致能级分裂，电子不再属于某一个原子，为两原子共有。 本征激发：价带上的电子激发成为准自由电子，即价带电子激发成为导带电子的过程。 禁带宽度： 能带理论的基本概念： 允带：允许电子能量存在的能量范围。 禁带：不允许电子存在的能量范围。 空带：不被电子占据的允带。 满带：允带中的能量状态（能级）均被电子占据。 导带：电子未占满的允带（有部分电子。）