半导体测试技术技术方案.ppt

半导体材料测试技术 李 梅 重点实验室 半导体的检测与分析是一个介于基础研究与应用研究之间的涉及内容很广而又不断蓬勃发展的领域。目前对光电子材料进行物理和化学研究的方法很多，有透射电镜、光荧光、拉曼光谱、背散射、二次电子谱、俄歇、电化学C-V和X射线双晶衍射等。本课程主要是根据我们实验室现有的实验设备进行实验教学，重点介绍X射线双晶衍射技术、光致发光分析方法、电化学CV分布测量技术、霍尔效应测量等方法的基本原理及其在半导体中的应用。 目 录 X射线双晶衍射技术 光致发光分析方法 霍尔效应测量原理 电化学C-V分布测量技术 扫描电子显微镜的原理及应用 第一章 X射线双晶衍射技术 X射线是1895年11月8日由德国物理学家伦琴（W.C.Rontgen）在研究真空管高压放电现象时偶然发现的。由于当时对这种射线的本质和特性尚无了解，故取名为X射线，后人也叫伦琴射线。从1895到1897年间，他搞清楚了X射线的产生、传播、穿透力等大部分特性。伦琴的这一伟大发现使得他于1901年成为世界上第一位诺贝尔奖获得者。X射线发现近半年就被医务界用来进行骨折诊断和定位了，随后又用于检查铸件中的缺陷等。 优点 对于研究材料的结晶完整性、均匀性、层厚、组分、应变、缺陷和界面等重要信息，X射线双晶衍射方法具有独特的优势。首先它是非破坏性的 ，其次是精度高，方法简便。它不仅为材料生