半导体器件原理-第三章.2技术方案.pptVIP

* ，将其代入少子电流方程，求出 与 ，进而 §3-2 缓变基区晶体管的放大系数 基区杂质分布的不均匀会在基区中产生一个内建电场，使少子在基区内以漂移运动为主，故缓变基区晶体管又称为 漂移晶体管。 以NPN 管为例，结电压为 VBE 与 VBC 。 本节主要思路：令基区多子电流为零，解出基区内建电场 求出基区渡越时间 ，最后求出： 1、内建电场的形成 杂质浓度分布图： 在实际的缓变基区晶体管中， η = 4 ~ 8 。 设基区杂质浓度分布为： 式中 η 是表征基区内杂质变化程度的一个参数： 当 η = 0 时为均匀基区。 由于 ， ，故对电子起加速作用，称为加速场 。 令基区多子电流为零： 得内建电场为： 小注入时，基区中总的多子浓度即为平衡多子浓度： 将基区电场 代入电子电流方程中，可得注入基区的少子电流为： 2、基区少子分布与少子电流 根据非均匀材料方块电