半导体器件原理-第三章.4技术方案.ppt

* §3-4 晶体管的反向特性 当发射极开路时，IE = 0 ，但这并不意味VBE = 0 。那么VBE 应当为多少呢？根据边界条件知，当VBC 0 时，在基区中靠近集电结的一侧，有： 1、浮空电势 基区中的部分少子电子被集电结上的反偏扫入集电区，但因 IE = 0 ，基区少子得不到补充，使在靠近发射结一侧，有：np(0) npo ，根据边界条件，这说明发射结上存在一个反向电压，这就是 浮空电势 。 已知 NPN 管的共基极电流-电压方程为： (1) (2) 将 IE = 0 代入方程 ① ， 得： 考虑到 VBC 0 以及互易关系 ，得： 于是从上式可解得浮空电势为： 例： 2、共基极接法中的雪崩倍增效应和击穿电压 已知 PN 结的雪崩倍增因子 M 可以表示为： 它表示进入势垒区的原始电流经雪崩倍增后放大的倍数。 在工程实际中常用下面的经验公式来表示当已知击穿电压时 M 与外加电压之间的关系： 当｜V｜= 0 时，M = 1 ; 当｜V｜→ VB 时，M → ∞ 。 锗PN 结: 硅PN 结: S = 6 (PN+) S = 3 (P+N) S = 2 (PN+) S = 4 (P+N)