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半导体物理Semiconductor Physics 第四章 半导体的导电性 （载流子的输运现象） 第四章 半导体的导电性 引言 一般来说，输运现象所讨论的对象是在电场、磁场以及温度场(或相应的温度梯度)作用下电荷和能量的输运问题，它具有广泛的实际意义。理论上，这是一个涉及内容相当广泛的非平衡统计问题．通过输运现象的研究可以了解载流子和晶格以及晶格缺陷相互作用的性质。 但在这一章中，我们主要只限于讨论弱电场和弱磁场下半导体中的电荷输运问题：电导、霍尔效应。只限于讨论具有球形等能面的抛物性能带、对载流子的运动可作准经典描述的简单情形，即可把载流子看作具有各向同性有效质量的经典粒子。 引言 4.1 载流子的漂移运动 迁移率 4.2 载流子的散射 4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 4.5 玻尔兹曼方程 电导率的统计理论（自学） 4.6 强电场下的效应 热载流子 4.7 多能谷散射 耿氏效应 4.1 载流子的漂移运动 迁移率 4.1.1 电导的微观理论 电导的宏观理论：欧姆定律 4.1.1 电导的微观理论 4.1.2 漂移运动 半导体中在没有外加作用的时，载流子作无规则的热运动 在外加电场作用下，则作定向运动 4.1.2 漂移运动 4.1.3 半导体的电