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半导体器件物理 ? Dr. B. Li pn结 1. PN结的杂质分布、空间电荷区，电场分布 2. 平衡载流子和非平衡载流子 3. Fermi 能级，准Fermi 能级，平衡PN结能带图，非平衡PN结能带图 4. pn结的接触电势差 5. 非平衡PN结载流子的注入和抽取 6. 过剩载流子的产生与复合 7. 理想二极管的电流~电压关系，并讨论pn结的单向导电性和温度特性。 8. PN结大注入效应，大注入和小注入时的电流电压 特性的比较。（扩散系数增大一倍） 9. 比较pn结自建电场，缓变基区自建电场和大注入自建电场的异同点。 10.势垒电容与扩散电容的产生机制。 11. 三种pn结击穿机构。 雪崩击穿的条件？讨论影响雪崩击穿电压的因素。 12. PN结的交流等效电路？ 13. PN结的开关特性，贮存时间的影响因素。 14. 肖特基势垒二极管与PN结二极管的异同。 双极晶体管 1.晶体管基本结构(三个区域的掺杂浓度的数值大小) 。 2.晶体管处在放大区时的能带图，电流分布图，基区少子浓度分布图（四种偏置）。 3.晶体管具有放大能力的基本条件。 4.发射效率γ和基区输运因子?T的定义。提高晶体管电流放大系数的主要措施。 5.晶体管的Ebers-Moll模型及其等效电路和互易关系。 6. 晶体管共基极和共射极电流放大系数之间的关系。 7. 晶体管共基极和共射极输入、输出特性和转移特