半导体器件原理第四章技术方案.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Cμ为集电结电容，CS为集电区与衬底之间的电容，rC为集电区串联电阻，τC通常比较小，在有些情况下可以忽略不计。 集电极电容充电时间 xdc为集电结耗尽区宽度 4. 6 频率上限 延时因子 集电结耗尽区渡越时间 假设电子以饱和漂移速度vs通过集电结耗尽区，则BJT器件的集电结耗尽区渡越时间可表示为： 4. 6 频率上限 晶体管截止频率 α截止频率fα：定义为共基极电流增益α由低频值下降到 所对应的频率。 β截止频率fβ ：定义为共发射极电流增益β由低频值下降到 所对应的频率。 特征频率fT ：β=1时对应的工作频率（电流放大最高工作频率） 4. 6 频率上限 晶体管截止频率 * 截止频率 共发射极电流增益的幅值下降到其低频值的　　时的频率 β截止频率与特征频率的关系 第四章：双极晶体管 * 4. 1 双极晶体管的工作原理 4. 2 少子的分布 4. 3 低频共基极电流增益 4. 4 非理想效应 4. 5 等效电路模型 4. 6 频率上限 4. 7 大信号开关 4.8 其他双极晶体管结构 将一个晶体管从一个状态转换为另一个状