半导体物理习题二技术方案.doc

半导体物理习题二 2014年11月18日 姓名 张新辉 学号 F 习题请直接做在此页面上，完成后发往 luming.sjtu42@ 1，设晶格常数为 a 的一维晶格，导带极小值附近的能量Ec (k) 为 价带极大值附近的能量Ev (k) 为 式中m 为电子质量，k1 =π/a，a = 3.14? 试求： （1）晶体的禁带宽度； （2）导带底电子的有效质量； （3）价带顶电子的有效质量。 解：（1）：根据 可求出对应导带能量极小值 Emin 的 k 值： 代入 Ec (k) 得： 同样对 Ev (k) 求导并令等于零，求出价带能量极大值 Emax对应的 k 值为零，代入 EV (k) 得： 晶体的禁带宽度等于：Ec - Ev = Emin - Ema 代入已知数据得： 导带底电子的有效质量： 价带顶电子的有效质量： 2， 设晶格常数为a 的一维晶体，其电子能量E 与波矢k 的关系是 (1) 讨论在这个能带中的电子, 其有效质量和速度如何随k 变化； 设一个电子最初在能带底，受到与时间无关的电场作用，最后达到大约 k =π/2a 的状态，试讨论电子在真实空间中位置的变化规律。 解：(1)将 改写为 代入 得 由上图可以看出，对于远离π /