半导体物理_04半导体的导电性技术方案.pptVIP

1、室温下，高纯Ge的电子迁移率μn=3900cm2/V.s，设电子的有效质量mn*=0.3m0=3×10-28g，试计算： （1）电子的热运动速度平均值、平均自由时间、平均自由程 （2）外加电场10V/cm时的漂移速度vd 2、设Si电子和空穴迁移率分别为1350cm2/V.s和480cm2/V.s，试计算本征硅的室温电导率。掺入亿分之一(10-8)As以后，弱杂质全部电离，电导率应为多少？它比本征Si的电导率增大多少？ 3、室温下为了把电阻率为0.02Ω.cm的N型Ge片变成：（1）电阻率为0.01 Ω.cm的N型Ge片；（2）电阻率为0.02Ω.cm的P型Ge片，各需要掺入何种类型的杂质，其浓度应为多少？ 4、在一般的半导体中电子和空穴迁移率不同，所以电子和空穴数目恰好相同的本征半导体的电阻率并非最高，请问实际半导体在载流子浓度分别为多少时获得最高电阻率？如果μn μp，最高电阻率的半导体是N型还是P型？ 其它因素引起的散射 Ge、Si晶体因具有多能谷的导带结构，载流子可以从一个能谷散射到另一个能谷，称为等同的能谷间散射，高温时谷间散射较重要。 低温下的重掺杂半导体，大量杂质未电离而呈中性，而低温下的晶格振动散射较弱，这时中性杂质散射不可忽视。 强简并半导体中载流子浓度很高，载流子之间也会发生散射。 如果晶体位错密度较高，位错散射也应考虑。 通常情况下，Si，Ge元素半导体的