半导体物理与器件+第2章_PN结机理与特性技术方案.pptVIP

第二章 PN结机理与特性 2.1 平衡PN结的机理与特性2.1.1 PN结的制备与杂质分布 在N型(或P型)半导体单晶片衬底上，分别采用不同的掺杂方法，使原来半导体的一部分变成P型，（或N型），那么在P型半导体与N型半导体的交界面处就形成了PN结，如图 合金法及其杂质分布 合金法制备PN结的基本过程如图所示 扩散法及其杂质分布 用扩散法制备PN结的基本过程如图 离子注入法及杂质分布 2.1.2 平衡PN结形成与能带 1 平衡PN结形成 平衡PN结表现出来的3个主要特征： 1. 通过平衡PN结的静电流为零； 2.在空间电荷区，两侧正负空间电荷数量相等； 3.空间电荷区以外的N型区和P型区仍是电中性的。 2 平衡PN结的能带图 2.1.3 平衡PN结的接触电势差 由于平衡PN结空间电荷区内存在自建电场，使得N区和P区之间存在电势差，把这个电势差称为PN结的接触电势差，用UD表示。 2.1.4 平衡PN结的载流子浓度分布 平衡PN结的载流子浓度分布如图。在空间电荷区靠P边界XP处，电子浓度等于P区的平衡少子浓度nP0，而空穴浓度等于P区的平衡多子浓度PP0；在空间电荷区靠N边界XN处，空穴浓度等于N区的平衡少子浓度PN0，而电子浓度等于N区的平衡多子浓度nN0；在空间电荷区之内，空穴浓度从XP处的pP0减小到XN处的pN0，电子浓度从XN处的nN0减小到XP处的nP0。 2.