半导体物理学刘恩科第七版第七章金半接触技术方案.pptVIP

7.2.4肖特基势垒二极管 肖特基势垒二极管：利用金-半整流接触特性制成的二极管。 与pn结二极管相似的电流-电压特性，即单向导电性。 区别之处： 1. pn结二极管在正向偏压下注入的少数载流子具有电荷存储效应，严重地影响了其高频特性。 肖特基势垒二极管正向电流是多子流入金属形成，多子器件。 无电子的积累现象，具有更好的高频特性。 2. 对于相同的势垒高度，肖特基势垒二极管有的JsD或JsT比Js大得多。肖特基势垒二极管正向导通电亚较低，约0.3V左右 3.肖特基势垒二极管的应用 应用于高速集成电路、微波技术中， 如Si TTL电路，雪崩二极管，肖特基势垒栅场效应晶体管等。 7. 3 少数载流子的注入和欧姆接触 实际中，少数载流子的影响也比较显著。 对n阻挡层，体内电子为n0, 界面处电子浓度 电子的阻挡层就是空穴的积累层。 在势垒区，空穴的浓度在表面最大，体内浓度为p0 加正向电压，势垒降低，空穴扩散作用占优势，形成自外向内的空穴流。 与电子电流方向一致。 因此，总电流中一部分为空穴流的贡献。 空穴流的大小，取决于势垒高度。 随势垒的高度增加而增加。 7.3.2 欧姆接触 欧姆接触：金属和半导体的非整流接触。 理想欧姆接触的接触电阻与半导体样品或器件相比很小。电流流过时，接触上的电压降远小于样品或器件本身的电压降。即接触不影响器件的电流-电