第一章 常用半体器件.doc

科目:模拟电子技术 题型:填空题 :第一章 常用半导体器件 :全部 ----------------------------------------------------------------------- 1. （1）发射区掺杂浓度 ；（2）集电结面积比发射结面积 。 2. 在室温下，某三极管的ICBO=8μA，(=70，穿透电流为 mA 。另一支三极管的电流值：IB = 20(A时IC = 1.18mA、IB = 80(A时IC = 4.72mA，该管的( = 。 3. PN 结中其扩散电流的方向 是 ; 漂移电流的方向 是 。 4. 在一实际电路中，测得三极管三个管脚的对地电位分别是： VA= -10V，VB= - 5V,VC = - 5.7V，则A脚为 极，B脚为 极，C脚为 极；该管是 型。 5. 调整某放大电路中两只三极管（A和B管）各电极对地的电位为： VA1= 7V VA2 = 1.8V VA3 = 2.5V； VB1 =7V VB2 = 2.8V V B3= 7.2V。 则A管为 型管； B管为 型。 6. PN结的基本特性是 。 7. 使用稳压二极管时，其负极端应接 。 8. 在共射极接法时，三极管的交流电流放大倍数β= 。 9. 某3BX型晶体管各极电位分别是VE= 6V，VB= 6.3V，VC= 6.6V则该管处于 状态。 10. 有A、B两个三极管，A管的β=100，ICEO=200μA；B管的β=50，ICEO=10μA。 在放大电路中， 管工作的较稳定可靠。 科目:模拟电子技术 题型:选择题 章节:第一章 常用半导体器件 难度:全部 ----------------------------------------------------------------------- 1. PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2. 设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 。 A. ISeU B. C. 3. 稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 4. 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 5. 在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 7. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 8. 当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 。 A.增大 B.不变 C.减小 9. 晶体管工作在放大区时的偏置状态为 。 a. b--e 、b-- c间均正向偏置 b. b--e、b--c间均反偏 c. b--e间正偏、 b--c 间反偏 d. b -- e间反偏、b-- c间正偏 10. 如图所示电路中二极管的工作情况为 。 a. D1、D2均截止 b. D1、D2均导通 c. D1截止、D2导通 d . D1导通、D2截止 11. 如图所示，两稳压管DZ1、DZ2的稳定电压为UZ1=3V，UZ2= 6V，正向导通电压0.7V，当Ui= 10V时，则输出电压UO=（ ） A 1.4V； B -1.4V ; C 9V ; D -9V . 12. 在Ｐ型半导体中电子浓度（ ）空穴浓度 Ａ 大于；Ｂ 小于；Ｃ等于；Ｄ不定。 13. 正常工作状态下