第五章 电测量方法专题.doc

第五章 电阻测量专题预习提要 2、如果待测低电阻的两个电压端引线电阻较大，对测量结果有无影响？为什么？ 3、二极管中PN节工作原理，比较硅和锗二极管伏安特性曲线，画出它们的理论曲线。 4、放电法测量高电阻的原理。 5、利用伏伏法和安安法，设计电路图测量电阻为200欧待测电阻。 三、实验目的LED的伏安特性曲线。 研究非平衡电桥的工作特性。 四、实验器材 实验装置板（超高电阻、高电阻、中值电阻、低电阻、晶体二极管、发光二极管）、导线、滑线式惠斯登电桥、QJ23a型箱式直流单臂电桥、直流稳压电源、滑线变阻器(0～100Ω或0～200Ω)、ZX21型旋转式电阻箱、检流计、冲击电流计，电流表，可调电容箱，电压表，滑线变阻器，双刀双掷开关， 秒表，阻尼电键、示波器、信号发生器。 五、实验内容直流电桥测电阻Rx两端的电压U和流过电阻Rx的电流I，则待测电阻值为 （5-1-1） 1、测量电路。 （1）电流表内接法 接线如图5-1所示，相对误差为： E内=。 （5-1-2） 当RxRA时，相对误差较小，可用内接法测量。 （2）电流表外接法 接线如图5-2所示，相对误差为： E外= （5-1-3） 当RxRV时，相对误差E外较小，可用外接法测量。 （3）补偿法 接线如图5-3所示。这样既不存在电压表的分流，又不存在电流表的分压，从而克服了由于电表内阻的影响而产生的系统（方法）误差。从理论上讲，测量最准确。 电流表内、外接法的选择：当待测电阻值 时，选内接法；若时，选外接法；若R x与相近，两法都可以用。 电表量程的选择和内阻的计算：为了减小仪表到来的系统误差，电表尽量选小量程，使电流表和电压表指针偏转满量程的2/3以上。但换量程的次序是从大到小。电压表的内阻RV =每伏欧姆数（Ω/V）×量程。电流表的内阻RA查附录Ⅰ电表参数表。对于指针式仪表的读数，有效数字一般要读到分度的十分之一。 2、误差分析 在修正了测量电路系统误差后，根据有关不确定度的定义可以得到测量结果的不确定度： 电流表， ； 电压表，； 电表精度引起的不确定度：(I、U为测量中间值)； 结果：R=Rx测±uC（R）。 与标准值的相对误差 二．伏-安特性 二极管具有单向导电特性，其电阻为非线性电阻，可用图5-4所示的伏-安特性曲线来描述。 二极管所加正向电压很小时，二极管呈现的电阻值很大、正向电流很小；当电压超过某一数值时，二极管电阻变的很小，电流增长很快，称为死区电压。硅二极管的死区电压约为0.5V，锗二极管的死区电压约为0.2V。使用二极管时要注意，电流不能超过最大整流电流，否则二极管容易被损毁。 二极管加反向电压时，电阻很大；并且反向电压达到一定范围时，反向电流的值几乎不变。当反向电压增加到一定数值后，反向电流突然增大，对应电流突变这一点的电压称为二极管的反向击穿电压。使用二极管时，所加反向电压不得超过反向击穿电压的值。 【实验内容】 一、测量发光二极管（LED）的伏-安特性曲线 （1）按图5-5所示接好线路。图中为保护二极管的限流电阻，电压表的量程为2V，电流表的量程取200mＡ。接通电源，缓慢地增加电压，电流变化大的地方，电压间隔应取密一点，记下每次电压表和电流表的示值，测10组数据，最后断开电源。 （2）按图5-6所示连接电路。测量二极管反向特性曲线，将毫安表换成微安表，电压表量程换为20V，接上电源后，逐步改变电压，一直到略小于反向击穿电压为止，记下每次的电压表和电流表的示值，取10组数据。 （3）确认数据无错误及遗漏后，断开电源并拆卸线路。 图5-5 测二极管正向伏-安特性的电路 图5-6 测二极管反向伏-安特性的电路 【实验数据处理】 1． 测量发光二极管（LED）的伏-安特性曲线 （） （） （1）使用电源时要防止短路，接通和断开电路前应先使输出为零，然后再慢慢微调。 （2）测二极管正向特性时，毫安表读数不得超过二极管允许通过的最大正向电流值。 （3）?测二极管反向伏-安特性时，加在二极管上的电压不得超过二极管允许的最大反向电压。 【思考题与设计性实验】 （1）为什么测二极管正向特性和测反向特性的电路不一样？ （2）用图示法求电阻有什么优点？ （3）二极管的伏-安特性曲线各具有什么特性？ （4）根据示波器原理，设计一电路用示波器观察二极管的伏安特性曲线。 实验二 直流电桥测电阻 惠斯登电桥(单臂电桥) 原理 惠斯登电桥的原理如图5-7所示。标准电阻、、和待测电阻RX连成四边形，每一条边称为电桥的一个臂。在对角A和C之间接电源E，在对角B和D之间接检流计G。因此电桥由