现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学图形曝光与光刻1.pptVIP

1 10 100 1000 1 10 100 1000 低于高密度 ECR，ICP 低压整批RIE 单片晶片RIE 桶状等离 子体刻机 反应离子刻蚀（RIE） RIE已被广泛用于微电子工业，装置图如下所示。此刻蚀系统比传统的“桶装”刻蚀系统选择比要低，是由于强烈的物理溅射的关系。然而，选择比可以选择适当的化学刻蚀来改善。 平行板系统 RF RF 电子回旋共振（ECR）等离子体刻蚀机 大多数的等离子体抗蚀机，除了三极RIE外，都无法提供独立控制等离子体参数的能力。导致轰击损伤的严重问题。ECR结合微波电源与静电场来驱使电子沿磁场线作一定角频率的回旋。当此频率等于外加微波频率时，电子能量与外加磁场产生共振耦合，造成大量的分解与电离。 其他高密度等离子体刻蚀机 由于ULSI的线宽持续缩小，逼近传统的RIE系统极限，除了ECR系统外，其他形式的高密度等离子体源（HDP），如电感耦合等离子体源（ICP）、变压器耦合等离子体源（TCP）、表面波耦合等离子体源（SWP）也已开始发展。这些设备拥有高等离子体密度与低工艺压强。 另外，HDP等离子体源对衬底的损伤较小（因为衬底有独立的偏压源与侧电极电势），并有高的的各向异性（因为在低压下工作但有高活性的等离子体密度）。 然而，由于其复杂且成本较高，这些系统可能不会使用于非关键性的工