NANDFlash寄存器和流程图.docVIP

NAND Flash的读写: NAND Flash存储器件有非易失,容量大,功耗低,易擦除等特点,这里就涉及到Flash的种类问题,NORFLASH和NANDFLASH区别在于：NOR的特点是在芯片内执行,即应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM内,但是工艺复杂,价格较贵.NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,大容量存储,而且便宜.缺点就是无法寻址直接运行程序,只能存储数据.另外NADNFLASH非常容易出现坏区,所以需要有校验的算法.在NAND闪存中每个块的最大擦鞋次数是100万次,而NOR的擦鞋次数是10万次.并且NAND块的尺寸比NOR期间小8倍. NAND Flash的操作方式按页写按块擦除,写操作只能在空或者已经擦除的单元进行. 本视频内用的NAND Flash的类型是K9F2808 Flash连接电路图: 编程时要涉及到:设定总线宽度和相应bank的片选信号和总线速度. 本flash要用到的一些指令: 一下是编程时要用到的时序图. Read ID Operation: （这张表的作用就是来判断芯片类型是否正确.） 读取到的数据为： （Maker Code和Device Code是读取数据的过程） Status Read Cycle: Block Erase Page Write（一页是528Byte）: Page Read1 Operation: Page Read2 Operation: 数据手册上的NandFlash控制器: