过硫酸盐光照反应搭配二氧化钛光触媒降解TMAH(氢氧化四甲铵)之研究.docVIP

過硫酸鹽光照反應搭配二氧化鈦光觸媒降解氫氧化四甲銨之研究 研究生：近年來光電廠常大量使用氫氧四甲銨(etramethylammonium hydroxide, TMAH)做為電路板的顯影劑，造成廢水中含有高濃度有機物與氮磷，高污染物質。高級氧化程序中photo-Fenton所常用之氧化劑為過氧化氫(H2O2)，但其缺點除了期短且僅能在酸性條件下具有較佳效果，因此本研究選用過硫酸鹽為氧化劑，並進一步探討其降解TMAH之效果，再與TiO2光觸媒結合進行式反應，測試最佳操作條件，使TMAH能在短時間內降解完成。本研究除了用IC (離子層析儀)分析TMAH濃度之外，還自行開發GC-NPD (氣相層析儀搭配氮磷偵測器)之分析方法。 本研究比較批次式photo/persulfate程序及TiO2光照反應及循環式反應降解TMAH之效果，結果顯示批次式反應高濃度之TMAH以先使用photo/persulfate反應再搭配TiO2光觸媒光照反應之處理效果較佳，這是由於photo/persulfate於反應過程中產生的硫酸根陰離子自由基(SO4-．)高氧化還原電位，能夠加對TMAH之降解。而由實驗結果可知最佳處理條件的試劑濃度為0.05 M (TMAH之去除率達99%，12小時)，在此處理條件下的TMAH生物毒性，因其四甲基銨陽離子TMA+)與硫酸根陰離子自由基去甲基化作用逐步降解而使得毒性降低(毒性降低效果達94.2%，12小時)。另外當試劑濃度低於0.05 M (包含0.05 M)時，photo/persulfate程序與TiO2光觸媒光照反應降解TMAH，均會拌隨著溶液pH之下降當TMAH被降解時會產生氨氮，而試劑濃度為0.075 M時，雖然TMAH的去除率並非為最佳，但其氮氨之生成濃度卻為最高，推測為TMAH降解時，有許多中間產物能被硫酸根陰離子自由基及氫氧自由基持續分解而產生氨氮或最終產物，因此提升試劑濃度在TMAH降解過程中，可能增加氨氮的釋出。 本研究還藉由掃描式電子顯微鏡及能量逸散光譜分析各不同試驗之二氧化鈦，其結果顯示初始製備出之二氧化鈦顆粒結晶有平滑表面，而經吸附用作後其表面從原本平滑的形態變成有許多細小孔洞且凹凸不平的情況。另外經photo/persulfate程序處理後(試劑濃度0.05 M)，其二氧化鈦表面發現鈉及碳元素，這是因過硫酸鈉和硫酸亞鐵反應後，鈉原子和二氧化鈦表面結合所致，而二氧化鈦表面並沒有偵測到鐵元素，推測為鐵離子於反應過程中，以及被二氧化鈦所吸附的量低於儀器之偵測極限。etramethylammonium hydroxide) is extensively used as the reagent of PCB (printed circuit board) manufacturing. It has resulted the wastewater containing high concentrations of organic matter, nitrogen, and phosphorus which are highly contaminated materials. Hydrogen peroxide (H2O2) are commonly used as the oxidant in photo-Fenton process. However, its disadvantage includes short half-life and only useful under the acidic conditions. In this study, we used persulfate as the oxidant to investigate the effect of the degradation of TMAH. TiO2 (titanium dioxide) photocatalyst and persulfate were combined in the photoreaction of batch and circulation systems. Further more, the optimum operating conditions for the degradation of TMAH can be tested in a short period of time. For the analysis of the concentration of TMAH, we not only used the traditional method of IC (Ion Chromatography) but also self-developed method of GC-NPD (Ga