第2讲三极管解析.ppt

练习: 五、环境温度对三极管参数的影响 1 温度对ICBO的影响 2 温度对β的影响 3 温度对UBE的影响 硅管 的比锗管小得多，优良的硅管 可以做到10nA以下。对硅管来说， 随温度的变化往往不是主要问题，因此得到广泛地应用。 三极管的 值随着温度的升高而增大。其规律为每升高1℃， 值增加(0.5～1)％。 当 一定，温度每升高 ， 减小2mV左右，或者说，对相同的 ， 会随着温度的升高而增加。 ICBO随温度的升高而增大。 UBE随温度升高而降低。 六、三极管的h参数微变等效电路 ［h］ 适用于中低频段 晶体管在中低频、小信号作用下等效 1.中低频段:kHz数量级以下 2.小信号：mv级 3.等效：线性化处理 简化的h参数微变等效电路 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 第三节 半导体三极管 [双极型晶体管(BJT)] 一、三极管的结构与种类 1、结构 面积最大, 掺杂浓度低 基区很薄，掺杂浓度最低 掺杂浓度最高 制造三极管时必须满足工艺要求： (1)基区必须做得很薄 (2)发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 (3)集电区比发射区体积大，且掺杂浓度低。 总结：三极管有三个区、两个PN结、三个极。 三个区 极电区 基区 发射区 两个PN结 集电结 ：集电区与基区的PN结 发射结 ：发射区与基区的PN结 三个极 集电极c 基极b 发射极e PNP型三极管 NPN型三极管 2、符号 符号中箭头的含义： ①往外是NPN管；往里是PNP管 ②箭头所在的极为发射极 ③箭头方向代表发射结正偏时电流方向 1、按结构分 NPN管 PNP管 2、按材料分 Si管 Ge管 4、按功率分 小功率管 大功率管 3、按频率分 ｛ ｛ ｛ ｛ 高频管 低频管 3、分类 几种半导体三极管的外形 3A(锗PNP)、3B(锗NPN)、3C(硅PNP)、3D(硅NPN)四种系列。 二、三极管的放大原理 1、三极管的三种组态 三极管任何一个电极都可作为输入和输出的公共端，因此，三极管有三种连接方式，称为三种组态。 CB组态 CE组态 CC组态 2、共射电路(CE)为例 输入、输出回路的公用端为发射极。 三极管处于导通状态必须满足的条件： 发射结 集电结 正偏 反偏 b e c N N P VBB RB VCC RC PNP ： NPN ： 从电位的角度看： 1、载流子的传输过程 收集电流 漂移电流 复合电流 三极管三个极上的电流 发射区发射的电子被集电极收集后形成的 集电区和基区的少数载流子漂移运动形成的, 从三极管的外部看三个极的电流关系: 2 电流分配关系与放大作用 CE接法下直流电流放大系数 将(3)式代入(5)式 (1) (2) (3) (4) 将(1)式代入(2)式 (5) 穿透电流 很小，可忽略 定义 结论 由基极电流的微小变化引起的集电极电流的较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 交流电流放大系数 一般情况下，直流电流放大系数与交流电流放大系数差别很小，在分析估算中常取 CE接法下的三电极电流关系： 1） 2） 3） 电流分配关系 定义：把集电极电流变化量与基极电流变化量的比值定义为三极管的交流电流放大系数。 共基电路（CB） 直流电流放大系数 与 的关系 一般三极管的 值为0.9～0.99。CB组态无电流放大 导通条件： 发射结正偏 集电结反偏 或 共基电路交流电流放大系数 定义 一般情况下，直流电流放大系数与交流电流放大系数差别很小，在分析估算中常取 与 的关系 CB接法无电流放大作用 三、三极管的输入特性与输出特性 以NPN管共射电路为例 1 输入特性曲线族 三极管的输入特性曲线与二极管相同，表示以 为参变量时 和 的关系。即 。 硅NPN管的输入特性曲线 1.UCE=0V，b、e极间加正向电压。 2.UCE≥1V 分两种情况来讨论。 对于小功率管，UCE=1V的输入特性