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一、填空题 1.电磁透镜的分辨本领主要由 和 来决定。 电子探针包括 和 两种仪器。 SEM、AFM、XPS、AES分别代表 、 、 和 EM、、、分别代表 、 、 和 等材料分析测试手心点阵的系统消光规律是 出现反射， 不出现反射。，有一体心立方晶体的晶格常数是0.26nm，用铁靶Kα(λ=0.194nm)照射该晶体能产生 条衍射线。 当X射线将某物质原子的K层电子打出去后，L层电子回迁K层，多余能量以辐射的形式释放，这整个过程将产生 Kα) 。 的X射线在晶体上发生衍射时，相邻两个(hkl)晶面衍射线的波程差是 2dsinθ(θ为布拉格角) ，相邻两个HKL干涉面的波程差是 。 8.当X射线X射线X射线X射线X射线体心点阵的系统消光规律是 出现反射，不出现反射。在X射线衍射仪中，产生X射线的部件是 ，在电子显微分析仪器中，产生高能(低能)电子束的部件叫做 。 对于一定波长的X射线而言，只有晶面间距大于的晶面才能产生衍射。 当X射线将某物质原子的K层电子打出去后，L层电子回迁K层，多余能量将另一个L层电子打出核外，这整个过程将产生 。 [uvw]和零层倒易截面(uvw) 2、电磁透镜的景深与焦长 3、物质对X射线的线吸收系数和质量吸收系数 4、荧光产额和俄歇产额 5、零层倒易截面 6、吸收限 7、质厚衬度和衍射衬度 8、明场成像、暗场成像和中心暗场成像 9、电磁透镜的像差 10、布拉格角和衍射角 11、物相定性分析和定量分析 1晶带轴[uvw]和零层倒易截面(uvw)* 答案：晶体中,与某一晶向[uvw]平行的所有晶面(HKL)属于同一晶带,称为[uvw]晶带,该晶向[uvw]称为此晶带的晶带轴取某点O*为倒易原点则[uvw]晶带所有晶面对应的倒易矢(倒易点)将处于同一倒易平面中这个倒易平面与垂直由正倒空间的对应关系与垂直的倒易面为(uvw)*即[uvw]⊥(uvw)*因此同晶带的晶面的倒易面就可以用(uvw)*表示且因为过原点O*则称为层倒易截面(uvw)*μ：在X射线的传播方向上，单位长度上的X射线强度衰减程度(cm-1)，μ与物质种类、密度和X射线波长有关；质量吸收系数μm：单位质量物质对X射线的衰减量，μm＝μ/ρ，其中ρ为物质密度，μm是物质的固有性质，与物质密度和物质状态无关，而与物质原子序数和X射线波长有关。 4 荧光产额和俄歇产额 答案：荧光产额：原子在退激发过程中发射特征X射线的相对几率；俄歇产额：原子在退激发过程中发射俄歇电子的相对几率。俄歇电子与特征X射线是两个互相关联和竞争的发射过程，对同一K层空穴，即荧光产额((K)和俄歇电子产额()满足：。 5 何为零层倒易面 解：由于晶体的倒易点阵是三维点阵,如果电子束沿晶带轴[uvw]的反向入射时,通过原点O的倒易平面只有一个,我们把这个二维平面叫做零层倒易面. 6 短波限、吸收限 答：短波限：X射线管不同管电压下的连续谱存在的一个最短波长值。 吸收限：把一特定壳层的电子击出所需要的入射光最长波长。 7 质厚衬度和衍射衬度 答案：质厚衬度：样品不同区域的密度和厚度不同，对入射电子束的散射能力也不同，采用小孔径角成像时，把散射角大于α的电子挡掉，只允许散射角小于α的电子参与成像，这样质量厚度不同的区域，就有了相应的衬度；衍射衬度：晶态样品中取向不同的晶粒的衍射条件(位向)不同，在选取透射束(衍射束)成像时，就产生了相应的衬度。 8 明场成像、暗场成像和中心暗场成像 答案：明场像: 只让中心透射束穿过物镜光形成的衍衬像称为明场暗场像: 只让某一衍射束通过物镜光形成的衍衬像称为暗场像中心暗场像: 入射电子束相对衍射晶面倾斜2θ角此时衍射斑将移到透镜的中心位置该衍射束通过物镜光形成的衍衬像称为中心暗场像入射线或反射线与所形成 三、简答题 1、高能电子束与固体样品相互作用时将产生那些信号？简述其产生原理和特点，并说明这些信号在材料的性能表征方面有何应用？ 2、电磁透镜的像差有哪几种，并简述其产生原因及克服方法。 3、简述用X射线衍射仪对复相物质进行物相定性分析的基本程序 4、分别说明透射电镜中成像操作与衍射操作时各级透镜(像平面与物平面)之间的相对位置关系，并画出光