AlMg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究_郭建云.docxVIP

第 57 卷第 6 期 2008 年 6 月物　理　学　报Vol . 57 ,No. 6 ,J une ,2008100023290P2008P57 (06) P3740207ACTA PHYSICA SINICAn 2008 Chin. Phys. Soc.Al ,Mg 掺杂 Ga N 电子结构及光学性质的第一性原理研究3郭建云1) 　郑　广2) 3)- 　何开华2) 3) 　陈敬中1)1) (中国地质大学材料科学与化学工程学院 ,武汉430074)2) (中国地质大学数学与物理学院 ,武汉430074)3) (中国地质大学材料模拟与计算物理研究所 ,武汉430074)(2007 年 10 月 13 日收到;2007 年 12 月 4 日收到修改稿)　　基于密度泛函理论 ,采用广义梯度近似方法 ,计算了 Al ,Mg 掺杂的闪锌矿型 GaN 的电子结构和光学性质 ,分析了其电子态分布与结构的关系 ,给出了掺杂前后 GaN 体系的介电函数和复折射率函数. 计算结果表明掺有 Mg 的GaN 晶体空穴浓度增大 ,会明显提高材料的电导率 ,而 Al 掺杂 GaN 晶体的载流子浓度不变 ,只是光学带隙变宽;通过分析掺杂前后 GaN 晶体的介电函数和复折射率函数 ,解释了体系的发光机理 ,为 GaN 材料光电性能的进一步开发与应用提供了理论依据. 通过比较可知 ,所得出的计算结果与现有文献符合得很好.关键词: GaN晶体,电子结构,光学性质,掺杂PACC : 7115 , 7120 , 7125 , 7865 K11引言作为第三代半导体材料的代表 ,氮化镓基半导体材料是新兴半导体光电产业的核心材料和基础器件 ,不仅带来了 IT 行业数字化存储技术的革命 ,也将推动通讯技术发展 ,并彻底改变人类传统照明的 历史[1 ]. 氮化镓基半导体材料具有宽的直接带隙、高的击穿场强、高的热导率和非常好的物理与化学稳定性等特点;在短波长光电器件、高温器件和高频大功率器件等方面有广泛的应用前景 ,其物理性质引起了人们的重视 ,成为半导体材料和光电子器件的 研究热点[2 ]. 对理想半导体掺杂可以使其性能得到更好的应用 ,比如Al 掺杂到 GaN 晶体中可使得光学 带隙在 3142 —6120 eV (300 K 时) 范围变化 ,使得其 发射波长覆盖整个可见光区及部分紫外线区;Mg 掺杂到 GaN 晶体中可得到 p 型 GaN ,p 型 GaN 的实现 ,解决了制造 GaN 发光器件的一个难题. 实际上 ,Al ,Mg 掺杂 GaN ,不论在实验上还是在理论上都有大量的研究. 由于 Al GaN 能带结构中能带间隙与对应之弯曲系数 ( bowing parameter) 与发光波长有直接关系 ,尤其弯曲系数在设计发光组件的发射波长上扮湖北省杰出青年科学基金(批准号:2006ABB031) 资助的课题.通讯联系人. E2mail :gzheng25 @yahoo . com演着绝对重要的角色 ,所以国内外有不少研究者以 实验或理论计算的方法进行研究[3—6 ]; GaN 高浓度p 型掺杂一直是个难题 ,Amano 等人[7 ]利用低能电子束辐射(LEEBI) 处理掺 Mg 的 GaN ,得到了低阻p 型 GaN , 取得了 p 型掺杂的重大突破. 但是LEEBI 工艺在制造不少器件的时候存在着很多的限制 ,因为只有 GaN 薄膜表面很薄的一层 p 型掺杂浓 度很高. Nakamura 等人[8 ] 发明了快速热退火法( rapidthermal annealing) , 他们将掺 Mg 的 GaN 在 N2气氛中、700 —800 ℃下退火 , 得到了 p 型 GaN , 发现空穴浓度和迁移率都大大提高了. 至今 ,如何获得高掺杂浓度以及高质量的 p 型 GaN 仍是热点问题 ,国内外 对此有大量的报道[9—11 ]. 但对于 Al ,Mg 掺杂闪锌矿结构 GaN 晶体的电子结构和光学性质理论研究目前报道得比较少 ,而运用平面波赝势方法( PWP) 理论研究的目前还未见报道.本文用平面波赝势方法对闪锌矿结构的 GaN晶体中掺入杂质 M(M= Al ,Mg) 进行超胞处理 ,计算了两种掺杂情况下 GaN 材料的电子结构和光学性能. 分析了其电子态分布与结构的关系 ,并深入研究了掺杂对体系导电性能的影响; 研究了掺杂前后GaN 晶体的光学性质 ,解释了体系的发光机理. 所得6 期郭建云等 : Al ,Mg 掺杂 GaN 电子结构及光学性质的第一性原理研究3741到的结果与有关文献一致.21理论模型和计算方法2111理论模型GaN 通常有纤锌矿和闪锌矿两种结构[12 ] ,本文采用的是闪锌矿结构. 它属于 F243m(216) 空间群 ,晶格常数 a=b