AlN隔离层生长时间对AlGaN_省略_GaNHEMT材料电学性能的影响_钟林健.docxVIP

第 35 卷第 7 期发光学报Vol. 35 No. 72014 年 7月CHINESE JOUＲNAL OF LUMINESCENCEJuly，2014文章编号: 1000-7032( 2014) 07-0830-05AlN 隔离层生长时间对 AlGaN /AlN /GaN HEMT材料电学性能的影响钟林健1 ，邢艳辉1* ，韩军1 ，陈翔1 ，朱启发1 ，范亚明2 ，邓旭光2 ，张宝顺2( 1． 北京工业大学电子信息与控制工程学院 光电子技术省部共建教育部重点实验室，北京100124;2． 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，江苏 苏州215123)摘要: 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备，在蓝宝石(0001)面上外延不同生长时间AlN隔离层的Alx Ga1 －x N /AlN /GaN 结构的高电子迁移率的晶体管( HEMT) ，研究了 AlN 隔离层厚度对 HEMT 材料电学性能 的影响。研究发现采用脉冲法外延( PALE) 技术生长 AlN 隔离层的时间为 12 s( 1 nm 左右) 时，HEMT 材料的，2－ 1－ 1 ，()13－ 2方块电阻最小 电子迁移率为 1 500 cm ·V ·s 二维电子气 2DEG 浓度为 1． 16 × 10 cm 。AFM 测试 结果表明，一定厚度范围内的 AlN 隔离层并不会对材料的表面形貌产生重大的影响。HＲXＲD 测试结果表 明，AlGaN /AlN /GaN 具有好的异质结界面。关键词: AlN 厚度; PALE; MOCVD; HEMT; 电学性能中图分类号: O484文献标识码: ADOI:10． 3788 /fgx 0830Influence of Growth Time of AlN Interfacial Layer on Electrical Properties of AlGaN /AlN /GaN HEMT MaterialsZHONG Lin-jian1 ，XING Yan-hui1* ，HAN Jun1 ，CHEN Xiang1 ，ZHU Qi-fa1 ，FAN Ya-ming2 ，DENG Xu-guang2 ，ZHANG Bao-shun2( 1． Key Laboratory of Opto-Electronics Technology，College of Electric Information and Control Engineer，Ministry of Education，Beijing University of Technology，Beijing 100124，China;2． Suzhou Institute of Nano-Technology and Nano-Bionics，Chinese Academy of Sciences，Suzhou 215123，China)* Corresponding Author，E-mail: xingyanhui@ bjut． edu． cnAbstract:AlGaN /AlN /GaN HEMT structures were grown on sapphire substrate by MOCVD with dif-ferent AlN growing time，and the influence of AlN thickness on electrical properties was investiga-ted． When AlN growth time is about 12 s corresponding to the AlN thickness of 1 ～ 1． 5 nm，the sample has the best performance of electrical properties with the lowest sheet resistance of 359 Ω·sq － 1，the highest 2DEG concentration of 1． 16 × 1013 cm － 2，and a high 2DEG mobility of 1 500 cm2·V － 1·s － 1 ． AFM results indicate that AlN layer within a certain thickness range has little influence on the surface morphology． HＲXＲD results show that AlGaN /AlN /GaN HEMT has a good hetero-structure interface．Key words:AlN thic