第十章工艺集成重点分析.ppt

Dai Xianying * 集成电路制造技术第十章 工艺集成 西安电子科技大学 微电子学院 戴显英 2013年9月 * COMS集成电路：典型的双阱CMOS工艺制造的一部分 双极集成电路：标准埋层双极集成电路工艺制造的一部分 集成工艺：外延、氧化、扩散、离子注入、气相淀积、光刻腐蚀以及金属化等工艺 CMOS与双极集成电路 * 10、 工艺集成 运用各类工艺技术形成电路结构的制造过程，称为集成电路的工艺集成。 集成电路的生产过程实际上是顺次运用不同的工艺技术，最终在硅片上实现所设计的图形和电学结构的过程。 * 10.1 集成电路中的隔离 10.1.1 MOS集成电路中的隔离 1．自隔离 由于MOSFET源、漏与衬底的导电类型不同，所以本身就是被PN结所隔离，即自隔离（self-isolated）。 * 2．寄生晶体管 MOS集成电路中的隔离主要是防止形成寄生的导电沟道，即防止场区的寄生场效应晶体管开启。 10.1.1 MOS集成电路中的隔离 * 3．防止寄生场效应晶体管开启的方法 提高寄生场效应晶体管的阈值电压，使其阈值电压高于集成电路的工作电压。 通常场区的阈值电压需要比集成电路的电源电压高3-4V，以使相互隔离的两个MOSFET的泄漏电流小于1pA。 10.1.1 MOS集