spic调研报告.docVIP

智能功率集成电路发展技术前沿调研 27 SPIC：智能功率集成电路。随着微电子技术和功率MOS器件的发展，目前又新兴出一个领域：SPIC，Smart Power IC 。将输出功率集成器件与低压控制的信号处理以及传感、保护、检测、诊断等功能电路集成到同一芯片，是微电子技术和电力电子技术、控制技术、检测技术相结合的产物。SPIC自问世以来已经有了巨大的进步，汽车电子、平板显示、开关电源，电机驱动，工业控制，电源管理各方面应用广泛。 SPIC（智能功率集成电路 　　SPIC中的电力电子器件必须有驱动电路(或触发电路)、控制电路和保护电路的配合，?才能按人们的要求实现一定的电力控制功能。以往，电力电子器件和配套控制电路是分立器?件或电路装置，而今半导体技术达到了可以将电力电子器件及其配套控制电路集成在一个芯?片上形成所谓的电力集成电路。它可以集成多种电力电子器件及其控制电路所需的有源或无?源器件，比如电力二极管、BJT、IGBT、高低压电容、高阻值多晶硅电阻、低阻值扩散电阻?以及各元器件之间的连接等。这种电力集成电路特别适应于电力电子技术高频化发展方向的?需要。由于高度集成化，结构十分紧凑，避免了由于分布参数、保护延迟等所带来的一系列?技术难题。　　 封装技术 对于功率半导体而言封装技术有着特殊的重要性。一方面是因为当器件发生故障时，会主动产生功率损耗和高的动态性能。因此，通常情况下MOS晶体管的功率损耗约l～2瓦，而发生短路时功率损耗会以高过三个数量级的数值而上升。在这种情况下芯片、焊料、内嵌散热片都会由于热量的增加而处于极限工作状态。第二个原因是连接的导线要流过大电流，或者要承受大电压。例如，如果一根常规使用的截面积为0.75mm2的电缆的电流密度与芯片内的焊线相同，那么该电缆就需要传输1000A的电流。这意味着，材料在物理上已经达到了极限。由于MOS技术的进步，已经有可能制造出阻抗极低的器件。因此，封装本身内阻(焊线、芯片和内嵌散热片的连接以及内嵌散热片本身)的功率损耗将占更大的比重。? 功率半导体有两类封装。第一种是在芯片载体引线架上有着散热的表面，表面可以直接焊接。这种封装在芯片和散热面之间有很小的热阻，称为Rthj-c?(接到外壳的热阻)。第二种是“热增强型引线架”，从芯片载体连接金属引线到封装的引脚。因为模塑料掩盖了这些细节，?所以从外观上无法与标准器件相区分，和P-T0263-15为例描述了这两种不同的封装。?????和P-T0263-15为例描述了这两种不同的封装和内嵌散热片封装的区别。? 随看频率的不断提高，散热面的尺寸成了主要问题，尤其是在使用表贴器件（SMD）时更是如此。芯片技术的改进使得从通孔的封装变到低成本的SMD应用已成为一种趋势。由于印刷电路板(PCB)本身可以作为散热面，因此许多情况下，可以用“硅半导体代替散热片”?对于功率半导体而言封装技术有着特殊的重要性。一方面是因为当器件发生故障时，会主动产生功率损耗和高的动态性能。因此，通常情况下MOS晶体管的功率损耗约l～2瓦，而发生短路时功率损耗会以高过三个数量级的数值而上升。在这种情况下芯片、焊料、内嵌散热片都会由于热量的增加而处于极限工作状态。第二个原因是连接的导线要流过大电流，或者要承受大电压。例如，如果一根常规使用的截面积为0.75mm2的电缆的电流密度与芯片内的焊线相同，那么该电缆就需要传输1000A的电流。这意味着，材料在物理上已经达到了极限。由于MOS技术的进步，已经有可能制造出阻抗极低的器件。因此，封装本身内阻(焊线、芯片和内嵌散热片的连接以及内嵌散热片本身)的功率损耗将占更大的比重。? 功率半导体有两类封装。第一种是在芯片载体引线架上有着散热的表面，表面可以直接焊接。这种封装在芯片和散热面之间有很小的热阻，称为Rthj-c?(接到外壳的热阻)。第二种是“热增强型引线架”，从芯片载体连接金属引线到封装的引脚。因为模塑料掩盖了这些细节，?所以从外观上无法与标准器件相区分，和P-T0263-15为例描述了这两种不同的封装。?????和P-T0263-15为例描述了这两种不同的封装和内嵌散热片封装的区别。? 随看频率的不断提高，散热面的尺寸成了主要问题，尤其是在使用表贴器件（SMD）时更是如此。芯片技术的改进使得从通孔的封装变到低成本的SMD应用已成为一种趋势。由于印刷电路板(PCB)本身可以作为散热面，因此许多情况下，可以用“硅半导体代替散热片”?散热层?。 ????? 在把PCB作为散热面计算时，必须考虑许多因素。早先的做法是在功率封装上附加一个固体散热片，这样在