第0章--纳米信息与器件的进展开题报告.ppt

纳米电子信息材料与集成器件的进展 张怀武 电子科技大学 目 录 一.电子信息材料的变革 二.信息存储技术变革 三.电子材料与器件变革---LTCC 四. 材料芯片 五.纳米晶芯材与集成薄膜器件 电子信息技术的变革 我们的信息时代 ?计算机的发展 ?因特网的发展 ?物联网的发展 ?数字家电的发展 ?卫星系统的发展 ?现代军事的发展 二.半导体技术革命 信息技术--------半导体革命 电子是“电荷”的载体，电子和空穴的输运研究引起20世纪电子学的一场革命—半导体晶体管产生！ 信息技术-------晶体管革命 电子同时是“自旋”的载体，自旋效应和规律的发现能否引起新世纪的一场革命—产生自旋晶体管？ 答案是肯定的。可以从近期电子信息领域重大科学发现的三步曲予以证明： 重大的科学发现之一 计算机硬盘—自旋阀效应 1988年发现GMR效应，IBM的自旋阀硬盘磁头于1996年上市，目前计算机硬盘容量达100GBit 重大的科学发现之二 MRAM芯片—自旋隧道效应 2000年以来，世界顶级公司和科研机构研发焦点是自旋型MRAM存贮芯片，目前已有10M Bit数码相机用存贮芯片上市，2004年100MBit预计上市. 重大的科学发现之三 自旋晶体管— 自旋输运效应 目前正在热点研究，未来应用最广泛，科学性最强，产生划时代变革的顶尖研究主题； 将替代半导体晶体管，替代半导体开关器件，应用于未来的量子计算机、逻辑单元等领域。 ---自旋晶体管的优点 ▲自旋晶体管内在驱动力是基极的非平衡磁化，基极越薄，面积越小，晶体管效应越强----“纳米结”的引入 ▲集成度高，自旋载流子浓度大，速度快，非易失性，电阻率低，功耗小，线性I-V特性，抗电磁干扰. --------自旋晶体管原理 三.新兴电子材料与元器件革命 LTCC技术是一种先进的混合电路封装技术 LTCC技术的概念及其分类 LTCC技术的概念及其分类 LTCC技术的概念及其分类 LTCC技术的概念及其分类 LTCC技术的概念及其分类 B.新发现 现象：介电常数ε’随复合量的增加而增大， 1MHz附近时，复合量为25wt％的 比0wt% 大6--7倍。 原因：铁电材料与铁磁材料复合时发生互替代化学反应，材料中钛矿相与尖晶石相 共存，但Fe,Ni,Zn离子替代钛矿相中Ba,Ti离子，相反Ba,Ti离子也参与替代 LTCC技术之国内外发展现状 四.信息存储革命 1.传统的磁光记录： 理论极限为100Gbit/in2，而应 用领域需求将超过 1000Gbit/ in2 2.随机固态存储领域： FRAM,MARM替代传统的RAM,SRAM,DRAM和FLASHI 3.磁光，光电存储领域： 纳米点阵存储代替连续的数字存储 1.信息存储焦点问题 磁存储记录密度在不久的将来会达到由超顺磁决定的理论极限（100Gbit/in2) 一2.解决的方法（续） 解决方法之一就是采用光－磁混合超高密度记录技术(石榴石MO-GMR可达到728Gbit/ in2 ) 一3.目前的材料状况（续） 目前尚没有合适的混合记录最佳介质， 4.对材料的要求（续） Bi代石榴石（Bi,Cu:DyIG)磁光记录介质可能满足混合记录 √适合短波长记录---大的记录密度 √氧化物，化学稳定性好---可抗毁伤 √成本低,有大的饱和磁距Ms---便于GMR磁头读 √可利用双层或多层结构增强矫顽力—信息码稳定 √激光调制写—利用纳米分子掩膜可形成20—30nm 5.目前的技术考虑（续） 将光磁混合介质(Bi,Cu:DyIG)非连续化（patterned），可以进一步提高记录密度----700GBit/in2, 3.5英寸盘可达 7 TBit容量。 25.特色与创新工作 研究用于光磁混合记录的耦合型双层（或多层）石榴石磁光纳米球薄膜新材料； 在此研究基础上，拟采用纳米球光刻技术制备亚微米/纳米级石榴石磁光记录薄膜单元，系统研究氧化物型磁性单元的基本特性。 6.纳米球掩膜研究 第一步 自旋S-G方法镀球膜 ?采用自旋镀方法 应用甲醇稀释聚本已稀，1000—3000 rpm， 继续应用去离子水，甲醇和表面活化剂来稀释聚本已稀， 让衬底斜10度蒸发 应用去离子水来稀释溶液 高压喷洒自旋镀来进行镀制 第二步膜质量的控制 衬底表面必须应用3：7