北京航空航天大學-氧分压对IWO薄膜表面形貌及光电性能的影响.docVIP

氧分压对IWO薄膜表面形貌及光电性能的影响 张远鹏 （北京航空航天大学物理科学与核能工程学院，北京 100191，中国） 指导教师：王文文 摘要：掺钨氧化铟（In2O3:W, IWO）薄膜是一种新型的透明导电氧化物（TCO）薄膜，其中W与In之间存在着较高的价态差，使得IWO薄膜与其他TCO薄膜相比，在相同的电阻率条件下具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高的特点。本文利用直流反应磁控溅射法制备了IWO薄膜，利用扫描电子显微镜、Hall效应及分光光度计表征了薄膜的表面形貌及光电性能。在氧分压为2.4×10- 1 Pa的条件下，实验中制备的IWO薄膜最佳电阻率为 6.310-4Ω·cm ,最高载流子迁移率为 34 cm2V-1s-1 ,载流子浓度达到2.9×1020 cm-3, 可见光平均透射率约为85%，近红外平均透射率大于80% 关键词： In2O3:W薄膜；直流磁控溅射；氧分压；表面形貌；光电性能 1 薄膜制备及性能测试 透明导电氧化物薄膜的制备方法有多种,如磁控溅射、脉冲激光沉积( PLD)、喷涂热分解、溶胶-凝胶 ( Sol-gel)法等[1]，本文采用的直流磁控溅射法，是磁控溅射法中的一种，与其他方法相比，直流磁控溅射法具有成膜速率大、可控性强、可大面积制备等优点[2]，在试验研究以及工业生产当中得到了广泛的应用。 影响薄膜光电性能的因素有很多，本文主要讨论氧分压对IWO薄膜性能的影响，研究过程中选择的实验条件为：溅射功率42W，溅射时间10min，掺钨量6.4 %（wt%），衬底温度275℃，溅射气压1.0Pa，以上溅射参数保持不变的条件下，1-4号样品的氧分压分别为8×10- 2 Pa、1.6×10- 1 Pa、2.4×10- 1 Pa、3.2×10- 1 Pa。 利用X射线衍射法（XRD）表征了薄膜的晶体结构和结晶性能，利用扫描电子显微镜（SEM）表征薄膜表面形貌，利用台阶仪测量薄膜厚度，利用霍尔效应测量薄膜电阻率、迁移率等电学性能，使用分光光度计测定了薄膜在紫外、可见和近红外光区的透过率。通过这一系列测试以对 结果的分析，得到了氧分压对IWO薄膜光电性能影响规律。 2 结果及简要讨论 氧分压对IWO薄膜表面形貌的影响 一号样品 一号样品 二号样品 二号样品 三号样品 三号样品 四号样品 四号样品 图 图1 氧分压对IWO薄膜表面形貌的影响 图1所示为不同氧分压下制备的IWO薄膜表面形貌的SEM照片。如图所示，氧分压对于表面形貌的影响很大，随着氧分压的升高薄膜的形貌由棒状向小颗粒状再向大颗粒状过渡。根据Shinoki所提出的模型[3]，反应气体（O2）的增加，会导致靶面上吸附有未和溅射粒子反应的气体，它们和靶面上原子反应形成化合物，可以降低沉积速率，导致薄膜结晶性能的提高。 氧分压对IWO薄膜电学性能的影响 图 图2 IWO电学性能随氧分压变化规律 图2所示为氧分压对IWO薄膜电阻率、载流子浓度及迁移率的影响，随着氧分压的增大，电阻率先减小后增大，载流子迁移率先增大后减小，载流子浓度先增大后减小，这主要是由于，初始阶段，氧的增多会导致薄膜结晶性能的逐渐提高，晶体缺陷逐渐减少，这与图1 SEM扫描图像结果相符。在氧分压较小的情况下，严重的氧空位会破坏晶体结构，成膜质量较差。而氧分压超过2.4×10- 1Pa之后，随着氧空位的继续减少，In与O元素的化学计量比更接近2:3，因氧空位产生的载流子浓度有所下降，同时过量的氧有可能成为散射中心[4]，导致了载流子迁移率的降低。 氧分压对IWO薄膜光学性能的影响 图 图3 氧分压对IWO薄膜在近红外光区透射率 影响 图3所示为氧分压对薄膜在紫外、可见及近红外光区透过率的影响。随着氧分压的升高，薄膜在各光区的透射率均呈现先上升后下降的趋势，这是由于氧分压的升高使得结晶程度提高。前两个样品晶粒粗大疏松不均匀，薄膜表面粗糙，厚度较大，因此透射率较低。3号样品结晶最细密，但由于载流子浓度高，入射光波长大于2000nm之后透射率下降较快。同样，4号样品由于薄膜表面粗糙，透射效果不佳。 3 结论 本文采用直流磁控溅射法在玻璃基片上制备了IWO薄膜，实验证明，包括基底温度、氧分压、溅射功率等参数在内的一系列参数对IWO薄膜结构、表面形貌、电学和光学性能都有一定程度的影响。但是文章中由于篇幅限制仅讨论了氧分压这一个参数的影响。实验结果表明，在其他参数不变的条件下，当氧氩比控制在12:38时，IWO薄膜的光学性能以及电学性能都得到了最优值，其电阻率为 6.310-4Ω·cm ,载流子迁移率为 34 cm2V-1s-1 , 载流子浓度达到2.9×1020 cm-3,可见光平均透射率约为85%，近红外平均透射率大于80% 致 谢 感谢国家大学生创新性实验计划对本项目提供的资