单晶电池工艺路线
1.工艺流程
单晶硅太阳能电池生产工艺一般分为制绒、扩散、刻、去磷硅玻璃、PECVD,丝网印刷,烧结,分类检测和包装。工艺路线如图所示:
清洗表面油污及金属杂质;
2、去除表面损伤层;
3、形成表面织构化,减少光反射。
图2 硅表面损伤层去除
100面晶体硅在碱性溶液中由于各向异性腐蚀,形成金字塔结构,反应方程式:
Si+2NaOH+H2O==Na2SiO3+2H2
图金字塔结构的绒面
图4 单晶制绒设备外形
用化学方法将硅片表面腐蚀成金字塔的形状。采用槽式制绒设备。将原硅片装入50片装的花篮,放入制绒机上料台开始运行工艺。参与反应的化学药品有:NaOH、Na2SiO3、异丙醇(IPA),清洗用的化学药品有盐酸、氢氟酸等。
表:单晶制绒工艺参数
工位 温度 时间 化学品 初配(g) 补液(ml) 制绒槽 85 30min NaOH Na2SiO3 IPA(L) 预清洗 RT 2min IPA(L) 酸洗槽 RT 2min HF(L) HCl(L) 漂洗槽 RT 2min DIW 工位 温度 时间 化学品 初配(L) 补液(ml) HCl槽 RT 2min HCl HF槽 RT 2min HF
方块电阻:55Ω/□。
总工艺时间,100-15
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