硅片的制造工艺_培训课件.pptVIP

CZ基本工艺 现有的CZ都采用氩气气氛减压拉晶。利用通入惰性气体氩气，结合真空泵的抽气，形成一个减压气氛下的氩气流动。氩气流带走高温熔融硅挥发的氧化物，以防止氧化物颗粒掉进硅熔液，进而运动到固液界面，破坏单晶原子排列的一致性。减压气氛的压力一般为12-20Torr，氩气的流量为45-80slpm。 拉晶过程中的保护气流 减压拉晶 : CZ过程需要惰性气体保护！ 单晶炉提供减压气氛保护、机械运动和自动控制系统 减压气氛保护： 通过上炉筒、副室、炉 盖、主炉室和下炉室形成减压气氛 保持系统。 机械运动： 通过提拉头和坩埚运动系统提供晶转、晶升、埚转、埚升系统。 自动控制系统 通过相机测径、测温孔测温、自动柜控制组成单晶拉制自动控制系统。 单晶炉、热场构造及自动控制 1提拉头： 晶升、晶转系统，磁流体系统等； 2上炉筒： 提供晶棒上升空间； 3副室： 提肩装籽晶掺杂等的操作空间； 4炉盖： 主炉室向副室的缩径； 5主炉室： 提供热场和硅熔液的空间； 单晶炉结构 单晶炉、热场构造及自动控制 6、7下炉室： 提供排气口和电极穿孔等； 8上炉筒提升系统： 液压装置，用于上炉筒提升； 9梯子： 攀登炉顶，检查维修提拉头等； 10观察窗： 观察炉内的实际拉晶状态； 单晶炉结构 11测温孔： 测量对应的保温筒外的温度； 12排气口： 氩气的出口，连接真空泵； 13坩埚升降系统： 坩埚升降旋转系统等； 14冷却水管组： 提供冷却水的分配。 报警灯： 异常情况时发出声光报警； 主操作屏： 主要操作在此进行； 状态指示面板： 各电磁阀状态； 手动按钮： 手动机械提升操作； CCD图像： 相机的图像及取样范围； 控制柜简介 Flat与Notch的区别 晶向非常重要，因为它决定了在硅片中晶体结构的物理排列是怎样的。不同晶向的硅片的化学、电学和机械性质都不一样，这会影响工艺条件和最终的器件性能。如果晶体是单晶结构，那么所有的晶胞就都会沿着这个坐标轴重复地排列。 晶向 晶胞的坐标轴方向 硅晶体平面上的方向由一套称做密勒指数的参数所描。在密勒系统的符号里，小括号（）用来表示特殊的平面，而尖括号＜＞表示对应的方向。 （100） 对于硅晶体来说，晶胞和金刚石晶体结构的面心立方结构晶胞不同，除了面心立方所具有的那些共有原子之外，还包括完全位于立方结构中的4个原子。对于硅晶胞来说，总共有8个完整原子，其中4个共有原子和4个非共有原子。 面心立方金刚石结构 硅晶胞 双极集成电路 衬底通常为(111)晶面或(100)晶面的硅片。 半导体集成电路是在低指数面的半导体衬底上制作的。 MOS集成电路 衬底通常为(100)晶面的硅片 （100） Orientation Plane （100） Wafer Etch Pits （111） （111） Orientation Plane （111） Wafer Etch Pits 晶向测定的方法 光图定向法是根据晶体表面腐蚀坑中显露的(111)晶面对平行入射光反射所形成的特征图样来判断或测定表面晶向的。 硅片的晶向是指与硅片表面垂直的方向 硅片的晶向 如: N100硅片，其与硅片表面垂直的晶向就100晶向。 定位边只是一种标识，是一种行业的规定，用来表示该硅片是那种类型（P型或N型）及其晶向的，本身的方向与硅片晶向无关。 半导体业界传统上在硅单晶锭上做一个定位边来标明晶体结构和硅片的晶向。主定位边标明了晶体结构的晶向。还有一个次定位边标明硅片的晶向和导电类型。 硅片定位边或定位槽 硅片定位边或定位槽 识别硅片晶向和导电类型的标志。 副参考面(b) 主参考面(a) 在硅片自动加工设备中作为硅片机械定位的参考面 工艺的硅片参考面的规定方法 我国国家标准对于用于集成电路 硅片定位边在200 mm及以上的硅片已被定位槽所取代。具有定位槽的硅片在硅片上的一小片区域有激光刻上的关于硅片的信息。对300 mm硅片来讲，激光刻印于硅片背面靠近边缘的没有利用到的区域。现在没有利用的区域一般是3 mm。 定位槽 谢 谢! Optical Navigation Division Advanced Wireless Semiconductor Division Advance Wireless Semiconductor Division HunterSun Electr