十二章装配与封装.ppt

12.2.2陶瓷封装 应用于要求具有气密性好、高可靠性或者大功率的情况。 陶瓷封装有两种方法： 耐熔（高熔点）陶瓷 薄层陶瓷 一、耐熔陶瓷 1、耐熔陶瓷基座：由氧化铝（Al2O3)粉和适当的玻璃粉及一种有机媒质混合而构成的浆料，被铸成大约1密耳（1密耳约25微米）厚的薄片，干化，在各层制作用户连线电路的布线图案，用金属化通孔互连不同的层，几个陶瓷片被精确地碾压在一起，然后烧结构成一个单一地熔结体。 2、耐熔陶瓷种类：可根据烧结温度地不同分为 高温共烧结陶瓷（HTCC）——烧结温度1600 °C 低温共烧结陶瓷（LTCC）——烧结温度850 °C 到 1050 °C 3、耐熔陶瓷封装材料的挑战： 高收缩性（使公差难以控制） 高介电常数（增加了寄生电容，并影响高频信号） 氧化铝的电导率（称为信号延迟的原因） 4、陶瓷封装的形式： 最常用的管脚形式是100密耳间距的铜管脚，组成针栅阵列（PGA）管壳，这是为电路板装配的插孔式管壳。PGA被用于高性能集成电路，PGA管壳经常需要一些散热片或小风扇排出管壳内产生的热。 二、薄层陶瓷 陶瓷封装的一种低成本方法是在引线键合后，将两个陶瓷件压在一起，引线框架被定位在它们之间，这种封装被称为陶瓷双列直插，使用低温玻璃材料将陶瓷层密封。 12.3先进的装配与封装 未来封装目标：通过增加芯片密度并减少内部互连数来满足。目标是具有更少互连的封装；缩小集成电路管壳的尺寸，适应最终用户应用和整个外形的新技术设计的需求；增加更多输入/输出管脚。 先进的封装设计包括： 倒装芯片 球栅阵列 板上芯片 卷带式自动键合 多芯片模块 芯片尺寸封装 圆片级封装 12.3.1倒装芯片 1、什么是倒装芯片——是将芯片的有源面（具有表面键合压点）面向基座的粘贴封装技术。 2、倒装芯片的优点——它是目前从芯片器件到基座之间最短路径的一种封装设计，为高速信号提供了良好的电连接。由于不使用引线框架或塑料管壳，所以重量和外型尺寸也有所减小。 3、基座材料——陶瓷或塑料。 4、芯片上的用于键合的凸点——5％Sn和95％Pb组成的锡、铅焊料。 * * 第十二 章 装配与封装 引言 在制造厂工艺完成后，通过电测试的硅片准备进行单个芯片的装配和封装，被称为集成电路制造过程的后道工序。 最终装配和封装是两个截然不同的过程。 最终装配：从硅片上分离出每个好的芯片并将芯片粘贴在金属引线框架或管壳上，对于引线框架装配，用细线将芯片表面的金属压点和提供芯片电通路的引线框架内端互连起来。 封装：是将芯片封在一个保护管壳内 传统最终装配和封装工艺的概貌 对于所有芯片，集成电路封装有4个重要功能： 保护芯片以免受由环境和传递引起的损坏 为芯片的信号输入和输出提供互连 芯片的物理支撑 散热 业界的封装形式选择设计条件：性能、尺寸、重量、可靠性和成本目标。 封装形式： 封装层次 两种不同的封装层次： 第一级封装：本章所提到的装配和封装被称为第一级封装。 第二级封装：将集成电路块装配到具有许多元件和连接件的系统中，大多数使用Sn/Pb焊料（熔化温度183°C）将集成块焊在印刷电路板上。 印刷电路板——又称底板或载体，用焊料将载有芯片的集成电路块与粘贴在板上的电路相连，同时使用连接件作为其余产品的电子子系统的接口。 集成电路封装层次 12.1传统装配 传统最终装配的步骤： 背面减薄 分片 装架 引线键合 12.1.1背面减薄 在前端制造过程中，为了使破损降低最小，大直径硅片相应厚些（300mm的硅片是775μm厚）。但在装配前必须减薄，通常被减薄到200到500 μm厚。 减薄的目的：较薄的硅片更容易划成小芯片并改善散热， 有益于在薄ULSI装配中减少热应力。更薄的 芯片也减少最终集成电路管壳的外形尺寸和 重量。 12.1.2分片 方法：使用金刚石刀刃的划片锯把每个芯片从硅片上切下来。 12.1.3装架 分片后，好的芯片被挑选出来，粘贴到底座或引线框架上。 芯片的粘结方法： 环氧树脂粘贴 共晶焊粘贴 玻璃焊料粘贴 环氧树脂被滴在引线框架或基座的中心，芯片粘贴工具将芯片背面放在环氧树脂上，加热循环以固化环氧树脂（125 °C，1h）。大部分MOS产品直接使用环氧树脂，如果芯片和封装的其余部分之间有散热要求，可在环氧树脂中加入银粉制成导热树脂。 1、环氧树脂粘贴： 在减薄的硅片背面淀积一层金，基座有一个金或银的金属化表面，然后用合金方式将金粘接到基座（加热到420 °C 约6秒，略高于Au-Si共晶温度，在芯片和引线框架之间形成共晶合金互连）。双极集成电路使用共晶焊粘贴更普遍。 2、