第二章材料的结构与性能1.ppt

第2章 材料的结构与性能 （Structure and Property of Materials） 2.1 材料的结构 材料的结构是指组成原子、分子在不同层次上彼此结合的形式、状态和空间分布，包括原子与电子结构、分子结构、晶体结构、相结构、晶粒结构、表面与界面结构、缺陷结构等。 2.1.1 元素和化学键 一、元素及其性质 地球上一些元素的相对丰度 周期表中各元素在室温下的状态 （4）Hydrogen bond 氢键特点：有饱和性和方向性 2.1.2 晶体学基本概念 一、晶体与非晶体 晶体：组成晶体的微粒（离子、分子、原子等）在三维空间中有规律的排列，具有结构的周期性。 非晶体：微粒无规则排列，不存在周期性的空间点阵结构。 二、晶体结构的几个基本概念 晶体是一种内部粒子（原子、分子、离子）或粒子集团在空间按一定规律周期性重复排列而成的固体。 晶体中原子(离子或分子)规则排列的方式称为晶体结构。 周期性：同一种质点在空间排列上 每隔一定距离重复出现。 周期：任一方向排在一直线上的相邻两质点之间的距离 晶格（lattice）：把晶体中质点的中心用直线联起来构成的 空间格架。 结点（lattice points）：质点的中心位置。 晶胞（unit cell）：构成晶格的最基本的几何单元。 晶格参数（lattice parameters）： 一、点缺陷（ Point Defect） 1. 点缺陷种类 空位：正常结点没有被原子或离子所占据，成为空结点。 (自)间隙原子：原子进入晶格中正常结点之间的间隙位置。 置换式杂质原子：外来原子进入晶格，取代原来晶格中的原子而进入正常结点的位置 间隙式杂质原子：外来原子进入点阵中的间隙位置，成为杂质原子。 2. 热缺陷 热振动的原子在某一瞬间可以获得较大的能量，挣脱周围质点的作用，离开平衡位置，进入到晶格内的其它位置形成间隙原子，而在原来的平衡格点位置上留下空位。 3. 杂质缺陷 杂质的来源： 有目的地引入的杂质 例如单晶硅中掺入微量的B、Pb、Ga、In、P、As等 晶体生长过程中引入的杂质，如O、N、C等 置换式和间隙式杂质： 杂质和基质的原子尺寸和电负性相近时形成置换式杂质缺陷 半径较小的杂质原子可进入间隙位置形成间隙式杂质缺陷 晶体的杂质缺陷浓度仅取决于加入到晶体中的杂质含量，而与温度无关，这是杂质缺陷形成与热缺陷形成的重要区别。 4. 非化学计量缺陷 有一些易变价的化合物，在外界条件如所接触气体的性质和压力大小的影响下，很容易形成空位和间隙原子，使组成偏离化学计量，由此产生的晶体缺陷称为非化学计量缺陷。 非计量缺陷的形成，关键是其中的离子能够通过自身的变价来保持电中性。 例如，TiO2晶体在周围氧气压力较低时，在晶体中会出现氧空位（负离子空位），此时部分Ti4+变价成Ti3+使正负电荷得到平衡。 5. 点缺陷对材料性能的影响 点缺陷造成晶格畸变，从而对晶体材料的性能产生影响。 如定向流动的电子在点缺陷处受到非平衡力，增加了阻力，加速运动提高局部温度，从而导致电阻增大； 空位可作为原子运动的中转站，从而加快原子的扩散迁移，这样将影响与扩散有关的相变化、化学热处理、高温下的塑性变形和断裂。 二、线缺陷（line defect)和位错 线缺陷属一维缺陷，其特点是原子发生错排的范围，在一个方向上尺寸较大，而另外两个方向上尺寸较小，是一个直径约在3～5个原子间距、长几百到几万个原子间距的管状原子畸变区。 线缺陷具体形式就是晶体中的位错，位错的起因是晶体生长不稳定或机械应力﹐在晶体中引起部分滑移。 刃型位错 理想晶格中每个原子面都可以延伸至整个晶体。如果单个原子面不能延伸整个晶体，即所谓半原子面，则这个半原子面的终点位置形成线缺陷——刃型位错。 螺型位错 位错线平行于滑移方向，则在该处附近原子平面扭曲为螺旋面，即位错线附近的原子是按螺旋形式排列的——螺型位错。 混合位错 混合位错是刃型位错和螺型位错的混合形式。混合位错可以分解为刃型位错分量和螺型位错分量，它们分别具有刃型位错和螺型位错的特征。 三、面缺陷（planar defect） 面缺陷属于二维缺陷，在一个方向上的尺寸很小，其余两个方向上尺寸很大。晶体中的晶界或表面就属于面缺陷。 四、体缺陷 体缺陷属于三维缺陷，在三个方向上的尺寸都很大，晶体中出现的空洞或夹杂在晶体中的较大尺寸杂质包裹体都属于体缺陷。 2.4.1 Classification 点缺陷 （零维） 晶体缺陷 线缺陷 （一维） 体缺陷 （三维） 面缺陷 （二维） 缺陷的种类 点缺陷是在晶体晶格结点上或邻近区域偏离其正常结构的一种缺陷，它在三个方向的尺寸都很小，属于零维缺陷，只限于一个或几个晶格常数范围内。 热缺陷 杂质缺陷 离开平衡位置的原子有三个