2.可编程序的只读存储器.ppt

第4章 主存储器 4.1.1 主存储器处于全机中心地位 在现代计算机中，主存储器处于全机中心地位，其原因是： (1) 当前计算机正在执行的程序和数据均存放在存储器中。CPU直接从存储器取指令或存取数据。 (2) 计算机系统中输入输出设备数量增多，数据传送速度加快，因此采用了直接存储器存取(DMA)技术和输入输出通道技术，在存储器与输入输出系统之间直接传送数据。 (3) 共享存储器的多处理机的出现，利用存储器存放共享数据，并实现处理机之间的通信，更加强了存储器作为全机中心的作用。 存储系统的层次结构 根据各种存储器的存储容量、存取速度和价格比的不同，将它们按照一定的体系结构组织起来，使所放的程序和数据按照一定的层次分布在各种存储器中。 4.1.2 主存储器分类 能用来作为存储器的器件和介质，除了其基本存储单元有两个稳定的物理状态来存储二进制信息以外，还必须满足一些技术上的要求。另外价格也是一个很重要的因素。 主存储器的类型： (1) 随机存储器(random access memory，简称RAM) 随机存储器(又称读写存储器)指通过指令可以随机地、个别地对各个存储单元进行访问，一般访问所需时间基本固定，而与存储单元地址无关。 (2) 只读存储器(read\|only memory,简称ROM) 只读存储器是一种对其内容只能读不能写入的存储器，在制造芯片时预先写入内容。它通常用来存放固定不变的程序、汉字字型库、字符及图形符号等。由于它和读写存储器分享主存储器的同一个地址空间，故仍属于主存储器的一部分。 (3) 可编程序的只读存储器(programmable ROM,简称PROM) 一次性写入的存储器，写入后，只能读出其内容，而不能再进行修改。 (4) 可擦除可编程序只读存储器(erasable PROM,简称EPROM) 可用紫外线擦除其内容的PROM，擦除后可再次写入。 (5) 可用电擦除的可编程只读存储器(electrically EPROM,简称E2PROM) 可用电改写其内容的存储器，近年来发展起来的快擦型存储器(flash memory)具有E2PROM的特点。 上述各种存储器，除了RAM以外，即使停电，仍能保持其内容，称之为“非易失性存储器”，而RAM为“易失性存储器”。 4.1.3 主存储器的主要技术指标 微机存储系统有三个基本参数：容量、速度、成本 容量：以字节数表示 速度：以访问时间TA、存储周期TM或带宽BM表示 TA——从接收读申请到读出信息到存储器输出端的时间 TM——连续两次启动存储器所需的最小时间间隔 TM TA 存储容量：以字或字节为单位来表示主存储器存储单元的总数，就得到了主存储器的容量。 指令中地址码的位数决定了主存储器的可直接寻址的最大空间。 计算机中可寻址的最小单位是一个存储字，相邻的存储器地址表示相邻的存储字。 存储器速度：用存取时间和存储周期来表示。 Memory access time:指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。 Memory cycle time:指连续启动2次独立的存储器操作所需间隔的最小时间。 4.1.4 主存储器的基本操作 主存储器用来暂时存储CPU正在使用的指令和数据，它和CPU的关系最为密切。主存储器和CPU的连接是由总线支持的，连接形式如图4.1所示。总线包括数据总线、地址总线和控制总线。CPU通过使用AR(地址寄存器)和DR(数码寄存器)和主存进行数据传送。若AR为K位字长，DR为n位字长，则允许主存包含2K个可寻址单位(字节或字)。在一个存储周期内，CPU和主存之间通过总线进行n位数据传送。此外，控制总线包括控制数据传送的读(read)、写(write)和表示存储器功能完成的(ready)控制线。 图4.1 主存储器与CPU的联系 4.2 随机读写存储器(RAM) 静态RAM芯片(SRAM) 图4.2 NMOS六管静态存储单元 保持 字线Z加低电平，门管T5与T6都不导通，一对位线与双稳态电路相分离。双稳态电路依靠自身的交叉反馈，保持原有状态不变。 若是将上图中的负载管T3与T4，改用多晶硅电阻代替，则简化为四管静态存储单元电路。面积与功耗，均只有六管单元的一半，所以集成度得到提高。 SRAM存储器的组成 一个SRAM存储器由存储体、读写电路、地址译码电路和控制电路等组成 。 存储体——存储体是存储单元的集合 把各个字的同一位组织在一个集成片中 如 4096×1位就是说4096个字的同一位，那么这样的16个片子可组成4096×16的存储器。同一位的这些字通常排成矩阵的形式，如64×64＝4096