烧结过程原理培训教案分析.ppt

烧结过程原理培训 万柳斌 工艺整合组 报告目录 正银简介 正银烧结出 正银简介 作用：输出电流； 正面选择银浆主要是综合考虑耐高温烧结，良好的导电性能及附着力，以及贵金属成本等因素； 正面栅线的主成：①、主栅：焊接后起传导输送电流的作用；②、副栅：收集载流子的作用； 能与硅形成牢固的接触，并且化学稳定性好； 熔点：961.78°C，电阻率1.586X10^-8?·cm 银浆的烧结过程 1、网印正银在硅片上： 银浆掺有含铅的硼酸玻璃粉（PbO-B2O3-SiO glass frit），在高温烧结时玻璃粉硼酸成分与氮化硅反应并刻蚀穿透氮化硅薄膜，此时银可以渗入其下方并与硅形成此种局部区域性的电性接触，铅的作用是银-铅-硅共熔而降低银的熔点。 2、有机物挥发，正银中的玻璃成份在加热到450度时开始融化。 3、熔融的玻璃体开始蚀刻SiN层，Ag则渐渐融入熔融的玻璃中： 银浆的烧结过程 标题 4、在670-700°C，玻璃体开始蚀刻SiN层膜后，开始溶蚀Si的表层（emitter），产生腐蚀坑： PbO+Si Pb+SiO2 5、在冷却时，熔融玻璃中过量的Ag析出成Ag颗粒，并嵌入在Si的表面，于腐蚀坑处结晶形成电流传导的途径 烧结曲线过程 1、Drying：在150°C干燥时先挥发掉胶料中所有的溶剂，否则在高温烧结时 溶剂产生的气泡将会造成裂缝。 2、Burn out:在300-400°C进行Burn-out的过程，烧除掉浆料中的有机粘结剂。 3、Firing:在700-800°C时，烧结后使银线粘附在Si wafer表面 银晶粒的析出机理 与PbO和Si发生的氧化还原反应类似，玻璃料中的Ag2O与Si发生如下反应：Ag2O+Si ——Ag+SiO2 Ag和被腐蚀的Si 同时融入玻璃料中。冷却时，玻璃料中多余的Si外延生长在基体上，Ag晶粒则在玻璃料中多余的Si外延生长在基体上，Ag晶粒则在Si表面随机生长。 在烧结过程中通过氧化还原反应被还原出的金属Pb呈液态，当液态铅与银相遇时，根据Pb-Ag 相图银粒子融入铅中形成Pb-Ag相。Pb-Ag熔体腐蚀Si的100晶面。冷却过程中, Pb和Ag发生分离，Ag在111晶面上结晶，形成倒金字塔形。 标题 1、Solvent evaporation：100-200°C，溶剂挥发 2、Resin removal：200-400°C，聚合物树脂烧除 3、Glass melting Ag sintering：400-600，玻璃开始融化，银颗粒开 始缩合及烧结 4、Glass-SiAg-Si reaction：600-800°C，熔融的玻璃和溶解的银开始 刻蚀掉淡化硅表层，并刻蚀掉极薄的硅表层。最后，银颗粒在硅表 层结晶析出 正银的传导机构 机构一：由银颗粒和emitter的直接接触来传导 机构二：银颗粒和emitter之间由tunneling effect 来传导电流 正银的传导机构 a. Direct connection：银颗粒和emitter的直接 接触 b. Tunneling：若银颗粒和emitter间存有极薄 的glass film，则电流可藉由tunneling effect 来传导 c. Tunnelinghopping：若银颗粒和emitter间存有较厚的glass film，则电流可藉由tunneling和玻璃中金属析出物之间的hopping来传导 铝浆简介 对铝浆的技术要求 形成铝背p－p+结，提高开路电压； 形成硅铝合金对硅片进行有效地吸杂，提高效率； 能与硅形成牢固的欧姆接触； 有优良的导电性； 化学稳定性好； 有适宜大规模生产的工艺性； 价格较低。 标题 铝的特性 熔点：660.37℃，具有良好的导热性、导电性和延展性。 在空气中其表面会形成一层致密的氧化膜，使之不能与氧、水继续作用。 铝板对光的反射性能也很好 铝浆的烧结过程 标题 铝硅形成背电极机理 Al与Si形成BSF（back surface field）（P+），具有较高的电位。 当跃迁电子遇到BSF时，会倾向往n区移动，进而提高电流。 铝背场的作用 背铝作为背电场能够阻挡电子的移动，减了表面的复合率，有利于载流子的吸收；  减少光穿透硅片,增强对长波的吸收；  Al吸杂，形成重掺杂，提高少子寿命； 铝的导电性能良好，金属电阻小，而且铝的熔点相对其他的合适金属来说熔点低，有利于烧结。 标题 在烧结时p-type的铝掺杂渗入形成使原本掺杂硼的p-type Si形成一层数微米厚的p+-type Si作为背场，以降低背表面复合速度来提高电池的开路电压Voc。 因为硅片吸收系数差，当厚度变薄时