薄膜物理课件6.pptVIP

溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜的基本原理 靶材受到轰击所逸出的粒子中，正离子由于反向电场的作用不 能到达基片表面，其余的粒子均会向基片迁移。大量的中性原 子或分子在放电空间飞行过程中，与工作气体分子发生碰撞的 平均自由程 3.2 溅射离子的迁移过程 c1：溅射粒子的平均速度 v11：溅射粒子相互之间的平均碰撞次数 v12: 溅射粒子与工作气体分子的平均碰撞次数 通常，可认为溅射离子的密度远小于工作气体分子的密度， 则有： Q12：溅射粒子与工作气体分子的碰撞面积 Q12≈π(r1+r2)2 r1、r2 分别是溅射粒子和工作气体分子的半径 n2：工作气体分子密度 由于溅射粒子的速度远大于气体分子的速度，所以 v12≈Q12c1n2 计算Ar＋离子溅射铜靶时，溅射粒子的平均自由程。已知Cu2+ 离子的半径为0.96×10-8cm，Ar＋离子半径为 1.82×10-8cm，压 力P为1Pa，温度T为298K 溅射粒子的平均自由程可近似地由下式表示 溅射镀膜的气体压力为0.1-10 Pa，此时溅射粒子的平均自由 程约为1-10cm，靶与基片的距离应与该值大致相等 否则，溅射粒子在迁移过程中将发生多次碰撞，这样，即降 低了靶材原子的动能，又增加了靶材的散射损失 (1) 沉积速率 3.3 溅射离子的成膜过程 C－溅射装置有关的常数 I－离子流 S－溅射率 对于一定的溅射装置(即C为确定值)和一定的工作气体，提 高沉积速率的有效办法是提高离子电流I 不增高电压的条件下，增加I值只有提高工作气体的压力 沉积速率Q是指从靶材上溅射出来的物质，在单位时间内沉积 到基片上的厚度，该速率与溅射率S成正比 当压力增加到一定值时，溅射率将开始明显下降。这是由于 靶材粒子的背返射和散射增大所引起的 (2) 沉积薄膜的纯度 为了提高沉积薄膜的纯度，必须尽量减少沉积到基片上杂质 的量(主要指真空室的残余气体) 设真空室容积为V，残余气体分压为Pc，氩气分压为PAr，送 入真空室的残余气体量为Qc，氩气量为QAr，则有 Qc = PcV QAr = PArV Pc = PArQc/QAr 要降低残余气体的压力Pc，提高薄膜的纯度，可采取提高本 底真空度和增加送氩量这两项有效措施 本底真空度应为10-3~10-4 Pa较合适 (3) 沉积过程中的污染 (a) 真空室壁和真空室内的其他零件可能会有吸附气体、水气和二氧化碳 (b) 在溅射气压下，扩散泵抽气效率很低，扩散泵油的回流现象可能十分严重 (c) 基片表面的颗粒物质对薄膜的影响是会产生针孔和形成沉积污染 在通入溅射气体之前，把真空室内的压强降低到高真空区内是 很必要的 (4) 成膜过程中的溅射条件控制 (a) 应选择溅射率高、对靶材惰性、价廉、高纯的溅射气体或工作气体。一般，氩气是较为理想的溅射气体 (b) 应注意溅射电压及基片电位(接地、悬浮或偏压)对薄膜特性的严重影响 (c) 基片温度直接影响膜层的生长及特性 通常在溅射镀膜之前对靶进行预溅射是使靶表面净化的重要方法 4. 溅射机理 (1) 溅射率随入射离子能量的增大而增大；而在离子能量增加到一定程度时，由于离子注入效应，溅射率随之减小 从实验中得到的重要物理现象 (2) 溅射率的大小与入射离子的质量有关 (3) 当入射离子的能量低于某一临界值(阈值)时，不会发生溅射 (4) 溅射原子的能量比蒸发原子大许多倍 (5) 入射离子能量低时，溅射原子角度分布不完