太原理工大学模电复习资料.pptVIP

模拟电子技术基础  太原理工大学 韩晓明（讲师） 第一章、常用半导体器件 1.1半导体基础知识 2、伏安特性 类似于PN结的伏安特性，正向电流减小，反向电流增大 Uon：开启电压 硅：0.5V 锗：0.1V 导通电压： 硅：0.7V 锗：0.2V 此时电压电流近似线性 3、主要参数 1)最大整流电流:最大正向平均电流 2)最大反向工作电压:通常取击穿电压的一半 3)反向电流:未击穿时的反向电流 越小，单向导电性越好 4)最高工作频率 4、等效电路 1.2.5稳压二极管 与普通二极管的区别 主要参数: 1、稳定电压 2、稳定电流 3、额定功耗 4、动态电阻 1.3双极型晶体管 1.3.1三极管的结构和类型 1、结构 2、作用： 放大、开关 3、结构上满足：a、发射区掺杂浓度集电区掺杂浓度、集电区掺杂浓度基区掺杂浓度 b、基区必须很薄，一般只有几微米 1.3.2电流放大作用 1、条件： 内部 外部：发射结正偏， 集电结反偏 NPN：VcVbVe PNP：VcVbVe 共射放大电路