微电子器件(4-5).pptVIP

* 4.5 MOSFET 的直流参数与温度特性 4.5.1 MOSFET 的直流参数 1、阈电压 VT 2、饱和漏极电流 IDSS 只适用于耗尽型 MOSFET，表示当 VGS = 0，VDS VDsat 且恒定时的 IDsat ，即 4、通导电阻 Ron 表示当 MOSFET 工作于线性区，且 VDS 很小时的沟道电阻。当 VDS 很小时，ID 可表示为 3、截止漏极电流 只适用于增强型 MOSFET，表示当 VGS = 0 ，外加 VDS 后的亚阈电流与 PN 结反向电流引起的微小电流。 5、栅极电流 IG 表示从栅极穿过栅氧化 层到沟道之间的电流。栅极电流 IG极小，通常小于 10-14 A 。 1 、阈电压与温度的关系 上式中与温度关系密切的只有 ， 4.5.2 MOSFET 的温度特性 式中， ，所以对于 N 沟道 MOSFET， ， 阈电压具有负温系数。 无论 N 沟道还是 P 沟道， 大约为每度几个 mV 。 用同样的方法可以得到 P 沟道 MOSFET 的阈电压与温度的关系，并且得到 ，所以 P 沟道 MOSFET 的阈电压具有正温系数。 因 ， ，又已知 N 沟道 MOSFET 的 所以 的正负取决于 ID 的大小，也即（VGS –VT）的大小。 2 、漏极电流与温度的关系 上式中与温度关系密切的有 VT 与 。 (1) 当（VGS –VT）较大时， (3) 令 ，可解得 (2) 当（VGS –VT）较小时， 当满足上式时，漏极电流的温度系数为零，温度对漏极电流无影响。对 P 沟道 MOSFET 也可得到类似的结论。 总的说来，MOSFET 有较好的温度稳定性。 *