22缺陷能级.pptVIP

估算结果与实际测量值有相同数量级 Ge： △ED ～ 0.0064 eV Si: △ED ～ 0.025 eV 上述计算中没有反映杂质原子的影响，所以类氢模型只是实际情况的一个近似。 5、杂质的补偿作用 假如在半导体中，同时存在着施主和受主杂质，半导体究竟是n型还是p型？ 要看哪一种杂质浓度大，因为施主和受主杂质之间有相互抵消的作用。 这种半导体中施主和受主杂质之间相互抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。 下面 表示施主杂质浓度， 表示受主杂质浓度， 表示导带中电子浓度， 表示价带中空穴浓度。 A）NDNA时： n型半导体 因 EA 在 ED 之下， ED上的束缚电子首先填充EA上的空位， 即施主与受主先相互“抵消”， 剩余的束缚电子再电离到导带上。 有效的施主浓度 ND*=ND-NA B）NAND时： p型半导体 因 EA 在 ED 之下， ED上的束缚电子首先填充EA上的空位，即施主与受主先相互“抵消”，剩余的束缚空穴再电离到价带上。 有效的受主浓度NA*=NA-ND （C） NA≌ND时 杂质的高度补偿 Ec Ev EA ED 本征激发的导带电子 本征激发的价带空穴 利用杂质补偿