MOS管(新)答题.pptVIP

1.NMOS管的小信号模型 双端口 网络 g s d s vgs vds id 工作在饱和区的漏极电流iD: IDQ id＝gmvgs 谐波分量越小越好，一般取为0。 ig＝0,输入端相当于开路； id＝gmvgs，输出回路等效成一个电压控制电流源。 gm=2Kn(VGSQ-VT) 5.2.4 NMOS共源极放大电路的小信号模型 5.2 MOSFET放大电路 * 场效应管输出特性表达式： 求全微分: 漏极与源极间等效电导，相当于输出特性曲线斜率的倒数，为无穷大 其中： 为低频跨导,是转移特性曲线Q点的斜率 5.2.4 NMOS共源极放大电路的小信号模型 5.2 MOSFET放大电路 双端口 网络 g s d s vgs vds id 变化量 由该式可得到场效应管的微变等效电路 1.NMOS管的小信号模型 * 漏极与源极间等效电导，相当于输出特性曲线斜率的倒数，为无穷大 为低频跨导,是转移特性曲线Q点的斜率 5.2.4 NMOS共源极放大电路的小信号模型 5.2 MOSFET放大电路 双端口 网络 g s d s vgs vds id g s gmvgs vgs + - rds + - vds id d 因rds很大，可忽略，得简化小信号模型: 可得到场效应管放大电路的微变等效电路 1.NMOS管的小信号模型 * 5.2.4 NMOS共源极放大电路的小信号模型 5.2 MOSF