MOSFET基础答题.pptVIP

本章概述 MOSFET和其他电路元件结合能够产生电压增益和信号功率增益； 因MOSFET尺寸小，因而被广应用于数字电路，MOSFET是当今集成电路设计的核心； MOS是指金属(metal)—二氧化硅(SiO2)—硅(Si)系统，更一般术语是金属—绝缘体—半导体(MIS)，绝缘体不一定是SiO2，半导体不一定是Si； MOSFET的核心是MOS电容的金属-氧化物—半导体结构。 11.2.3固定栅氧化层电荷和界面电荷效应 对MOS的C-V的影响主要有两种： （1）固定栅氧化层电荷 （2）氧化层-半导体界面电荷 * xdT是xd的最大值。右上图的dQ’在高频情况下等于0。 * 前面所讲均针对理想C-V特性，即无氧化层电荷、界面陷阱。 * * 条件是正施主能级多于中性施主能级。 * * 条件是负受主能级多于中性受主能级。 * 金属可以是铝或者高掺杂的多晶硅（并非金属，但在CMOS电路中普遍采用）。 * Hxy在5所拍的SEM * EFS表示表面处的费米能级。 * * EFS表示表面处的费米能级。 * * 5 Ε ε epsilon ep`silon 伊普西龙 21 Φ φ fai 佛爱 22 Χ χ [kai] Vt 热电压（热电势） * 反型后随着栅压的增加，反型层的电子浓度将以10的幂次方增加，但空间电荷区的变化却是微弱的。 * * 大部分的实际掺杂在1015～1017之