- 1、本文档共8页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
嵌入式多模、多频收发器关键IP硬核研究
项目之
×××IP(IP×)技术报告模板
2011年 4月 16 日
1. IP性能简介
1.1 IP基本功能介绍
此IP为基于SiGe 0.18um BiCMOS工艺的低噪声放大器,主要应用于802.11a/n协议下的5~6GHz射频接收机前端。此IP实现从外部接收微弱信号并进行放大处理输出至下级电路,因此该IP在保证必要的增益情况下对电路的噪声和线性度也有较高要求。
1.2 系统设计对IP的指标要求
低噪声放大器的主要性能指标要求包括噪声、增益、输入和输出端的匹配以及线性度。具体为:
1.3 结构框图和端口描述
图1 LNA5G 版图
图2 LNA5G 在片测试准备图
图1 为此IP的设计版图,图2为此IP在片测试时准备照片。版图含有两对GSG信号输入输出端口以及三个单直流端口。分别是:上方的PAD为电源电压3.3V,正下方为1.2V偏置电压,右下方为接地端口,左边的GSG为输入射频信号,右边的GSG为输出射频信号。
2. IP设计
2.1 工作原理
图3 IP的电路设计原理示意图
电路分为两级结构,输入射频信号通过输入端电容C1、电感L1与L3以及晶体管Q1寄生电容完成输入端匹配。两级电路中电容C2耦合交流信号,输出端通过第二级晶体管Q2寄生电容、集电极与发射极电感L4和L5匹配。偏置通过外加1.2V电压流过电阻进入晶体管基极,主电路采用3.3V电压。
2.2 电路设计
根据IP设计指标要求,S21需达到15dB以上,因此电路采用两级结构,能够有效保证测试增益。输入与输出端采用典型低噪声放大器结构,匹配结构简单且引入最小量噪声。单级电路都采用发射级反馈电感,有效提升线性度。
2.3 关键技术
技术特点等
采用哪些方法,达成哪些目标;
2.4 版图设计
图4 LNA5G 版图
射频信号从左端GSG流入至右端GSG输出。
2.5 仿真结果
表1 LNA5G前仿与后仿结果对照表
参数 前仿@6.5G 后仿@6G S21(dB) 22.56 20.49 NF(dB) 2.18 2.77 P1dB(dBm) -29 -27.8 S11 -28.1 -15 S22 -24.2 -13.8 S12 -34.9 -34.06
图5 LNA5G 前仿结果
图6 LNA5G 后仿结果
仿真激励条件:输入-40dBm功率信号,电源电压为3.3V,偏置电压1.2V。
前仿结果频点在6.5GHz附近,由于版图以及器件模型等影响,后仿频点落在6GHz附近。
3. 测试结果
3.1指标的测试
测试仪器:探针台(Cascade S300),网络分析仪(Agilent E8363B), 矢量信号发生器(Agilent E4438C), 频谱分析仪(Agilent E4440A)
测试条件:基于哪些条件进行测试,如电压,电流等;
测试步骤:详细的仪器、信号等调节步骤;
测试结果:
表2 LNA5G 测试结果
参数 测试@5G S21(dB) 20.2 NF(dB) 4.5 P1dB(dBm) -15 S11 -8.5 S22 -10.8 S12 -28.4
图7 LNA 5G 测试S参数
图7 LNA 5G 测试S参数
图8 LNA 5G 噪声
测试结果总结:
、S参数频点在5GHz附近,与后仿结果比较,相差约20%;
②、以输入1dB压缩点测试结果分析线性度约为-15dBm;(后续将用双音测试法继续测试验证)
③、噪声在5GHz测试的结果大约为4.5dB;
3.2指标的分析
已达标:S参数,线性度
未达标:噪声
4. 与同类文献或产品的性能对比
表3 本IP与已应用产品性能对比
文献 工艺 频段
/G 电压
/V 电流
/mA NF
/dB S21
/dB S11
/dB S22
/dB P1dB
/dBm IIP3
/dBm MAX2648 SiGe 5~6 2.7~3.6 12.3 2.3@5.25 16 -14 -14 -4 MAX2649 SiGe 4.9~5.9 2.7~3.6 12.5~20 2.1~2.5
@5.15~5.35 15~17 -12 -16 -3.5~0 本IP SiGe 4.9~5.9 3.3 8.9~10 4.5@5G 20 -8.5 -10.8 -15
5. 展望
5.1 本次设计存在的问题
考虑到电路频率较高,因此电路采用两级结构,保证有效增益;但是也带来了噪声的负面影响。
5.2 对电路性能的可能改进,有何
您可能关注的文档
- LJY_6机器人的动力学(阅读).ppt
- LJY9驱动器.ppt
- lj文献检索第二章Internet信息检索.ppt
- LJY_4机器人的运动学(阅读).ppt
- LKJ2000讲义(阅读).ppt
- lllx第二章 静力学 平面汇交力系.ppt
- lllx第三章 静力学 力矩 平面力偶系.ppt
- lllx第五章静力学摩擦.ppt
- lllx第六章 静力学 空间力系重心.ppt
- lllx第一章静力学公理和物体的受力分析.ppt
- 2025至2030年宽幅絮棉机项目投资价值分析报告.docx
- 2025至2030年小型制冷式百货自动售货机项目投资价值分析报告.docx
- 六单元劝学师说群文教学课件.pdf
- 2025至2030年密封胶铝筒项目投资价值分析报告.docx
- 2025至2030年小巧高速专业印卡机项目投资价值分析报告.docx
- 2025至2030年尼龙动轮项目投资价值分析报告.docx
- 2025至2030年尼龙(PA)管项目投资价值分析报告.docx
- 2025至2030年小鳞片式链条炉排项目投资价值分析报告.docx
- 2025至2030年小型桌面条码打印机项目投资价值分析报告.docx
- 2025至2030年封闭式电晕处理架项目投资价值分析报告.docx
文档评论(0)